浮栅层的形成方法技术

本发明专利技术提供一种浮栅层的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，所述衬底上形成有栅氧化层、未掺杂多晶硅层、氮化硅层以及第一掩膜层；形成浅沟槽隔离结构；形成第二掩膜层；去除所述存储区的所述第二掩膜层、所述氮化硅层以及第二厚度的所述浅沟槽隔离结构；形成第三掩膜层；以所述第三掩膜层为掩膜，对所述存储区的所述未掺杂多晶硅层进行离子注入以得到掺杂离子的浮栅层。其中，在形成所述浅沟槽隔离结构后才对所述未掺杂多晶硅层进行离子注入以得到浮栅层，避免了所述浮栅层中的离子受高温的影响向外扩散的情况，从而保证了后续形成的快闪存储器存储数据的有效性。

The forming method of floating grid layer

【技术实现步骤摘要】
浮栅层的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种浮栅层的形成方法。
技术介绍
非易失存储器包括电可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flashmemory)。与电可编程只读存储器以及电可擦除编程只读存储器相比，快闪存储器具有存储数据的非易失性、低功耗、集成度高、较快的存取速度、易于擦除和重写以及低成本等特性。因此，快闪存储器被广泛的应用于各个领域。如嵌入式系统、PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互连设备、语言、图像、数据存储类产品等等。典型的快闪存储器是以掺杂离子的多晶硅制作浮栅层(FloatingGate)，其中，所述浮栅层用于存储数据。目前所述浮栅层在掺杂离子之后，会执行在浮栅层以及位于所述浮栅层下的所述衬底中形成浅沟槽隔离结构(STI)的步骤，但是在形成STI的过程中会使用到热退火工艺，而所述浮栅层中掺杂的离子在高温的情况下会向外扩散至所述浅沟槽隔离结构中，导致浮栅层中掺杂的离子缺失，从而极大地影响了快闪存储器存储数据的功能。专利
技术实现思路
本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浮栅层的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包括存储区以及逻辑区，所述衬底上形成有依次堆叠的栅氧化层、未掺杂多晶硅层、氮化硅层以及第一掩膜层；/n采用高温工艺形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述氮化硅层、所述未掺杂多晶硅层、所述栅氧化层以及所述衬底中，所述浅沟槽隔离结构的表面与所述氮化硅层的表面齐平；/n形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述氮化硅层以及所述浅沟槽隔离结构；/n去除所述存储区的所述第二掩膜层、所述氮化硅层以及第二厚度的所述浅沟槽隔离结构，其中，所述存储区中，剩余厚度的所述浅沟槽隔离结构上且所述未掺杂多晶硅层中形成第一沟槽；/n形成第三掩膜层，所...

【技术特征摘要】
1.一种浮栅层的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括存储区以及逻辑区，所述衬底上形成有依次堆叠的栅氧化层、未掺杂多晶硅层、氮化硅层以及第一掩膜层；
采用高温工艺形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述氮化硅层、所述未掺杂多晶硅层、所述栅氧化层以及所述衬底中，所述浅沟槽隔离结构的表面与所述氮化硅层的表面齐平；
形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述氮化硅层以及所述浅沟槽隔离结构；
去除所述存储区的所述第二掩膜层、所述氮化硅层以及第二厚度的所述浅沟槽隔离结构，其中，所述存储区中，剩余厚度的所述浅沟槽隔离结构上且所述未掺杂多晶硅层中形成第一沟槽；
形成第三掩膜层，所述第三掩膜层填充所述第一沟槽以及覆盖所述存储区的所述未掺杂多晶硅层和所述逻辑区的所述第二掩膜层；以及，
以所述第三掩膜层为掩膜，对所述存储区的所述未掺杂多晶硅层进行离子注入以得到掺杂离子的浮栅层，并去除所述第三掩膜层。


2.根据权利要求1所述的浮栅层的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层以及所述第二掩膜层的材质均为氧化硅。


3.根据权利要求1所述的浮栅层的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层的厚度介于


4.根据权利要求1所述的浮栅层的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材质为LPTEOS。


5.根据权利要求1所述的浮栅层的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构的步骤包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡，刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31