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本发明提供一种浮栅层的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，所述衬底上形成有栅氧化层、未掺杂多晶硅层、氮化硅层以及第一掩膜层；形成浅沟槽隔离结构；形成第二掩膜层；去除所述存储区的所述第二掩膜层、所述氮化硅层以及第二厚度的所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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