【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。现有常用的半导体器件包括半导体存储器。非易失性存储器(Non-VolatileMemoryDevice，NVM)是一种半导体存储器，当供电电源被移除时，仍可持续储存数据。其中，NAND存储器是常用的一种非易失性存储器，其具有存储单元面积小，存储器单元的存储量大等优点，因而被广泛地应用在MP3播放器、数字相机、数字摄录像机以及移动电话等便携式电子产品的存储卡内。随着电子产品的集成度越来越高，现有的半导体器件的可靠性有待提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法，并提高半导体器件的可靠性。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底；/n在所述半导体衬底上形成在垂直方向掺杂浓度呈梯度变化的栅极结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成在垂直方向掺杂浓度呈梯度变化的栅极结构。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成掺杂浓度呈梯度变化的栅极结构具体为：
在所述半导体衬底上形成叠置的第一栅极材料层和第二栅极材料层，其中，第一栅极材料层和所述第二栅极材料层的掺杂浓度不同；
处理所述第一栅极材料层和第二栅极材料层，以使第一栅极材料层和第二栅极材料层的掺杂浓度在垂直方向呈梯度变化；
图案化所述第一栅极材料层和第二栅极材料层，以形成分立的栅极结构，每个栅极结构包括叠置的第一栅极材料层和第二栅极材料层。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成掺杂浓度梯度变化的栅极结构具体为：
在所述半导体衬底上形成叠置的第一栅极材料层和第二栅极材料层，其中，第一栅极材料层和所述第二栅极材料层的掺杂浓度不同；
图案化所述第一栅极材料层和第二栅极材料层，以形成分立的栅极结构，每个栅极结构包括叠置的第一栅极材料层和第二栅极材料层；
处理所述第一栅极材料层和第二栅极材料层，以使第一栅极材料层和第二栅极材料层的掺杂浓度在垂直方向呈梯度变化。
4.根据权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，所述处理所述第一栅极材料层和第二栅极材料层具体为：退火处理所述第一栅极材料层和第二栅极材料层。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，仇圣棻，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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