【技术实现步骤摘要】
半导体结构和存储器
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构和一种存储器。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路上的越来越小，半导体结构中的基础器件晶体管的沟道尺寸也越来越小。特别是在半导体存储器件中，为了提高存储密度，晶体管的尺寸大幅缩小。为了提高晶体管的驱动能力，现有技术中，通过刻蚀衬底的有源区形成凹槽，然后再在凹槽内形成栅介质层及栅极，形成埋入式栅极结构，从而在不增加线宽的前提下增大了晶体管的沟道宽度。由于栅极形成于刻蚀有源区形成的沟槽内，所述沟槽的形貌对晶体管的性能有较大的影响。现有技术中，在刻蚀有源区形成栅极沟槽的同时，会对有源区两侧的隔离结构也进行刻蚀，由于有源区与隔离结构的材料不同，在刻蚀过程中，两种材料的刻蚀速率不同，导致有源区被刻蚀后的形貌不佳，容易在晶体管工作过程中，发生电荷聚集，从而使得晶体管的阈值电压发生偏移或漏电等问题，影响晶体管的性能。如何改善埋栅式晶体管的性能是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种半导体结...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；/n同时位于所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构内的栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；/n位于所述栅极凹槽内的栅极结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；
同时位于所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构内的栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；
位于所述栅极凹槽内的栅极结构。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽的深度差小于等于50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽底部的有源区顶部边缘的顶角圆滑。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。