一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法技术

本发明专利技术涉及一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，涉及微纳电子器件制备领域。解决现有技术中3D打印方法图案化薄膜电极材料边界不光滑、不整齐的技术问题。本发明专利技术提供的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其是采用3D打印方法与光刻技术结合薄膜电极材料生长新方法，可实现较低温度条件下制备薄膜电极，降低传统电子制备方法制备电极过程中的能耗与提高薄膜电极材料沉积效率，更为重要的一点是从根本上解决了3D打印形成的图案化薄膜电极材料边界不光滑、不整齐问题，制备得到的图案化薄膜电极材料边缘整齐、光滑(如摘要附图)，具有广阔的应用前景。

A patterned thin film electrode material growth method with neat and smooth edges

【技术实现步骤摘要】
一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法
本专利技术涉及微纳电子器件制备领域，具体涉及一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法。
技术介绍
近年来，微纳电子器件制备行业方兴未艾，它的出现不但整合电子电路、电子组件、材料、平面显示、纳米技术等领域技术外，同时横跨半导体、封测、材料、化工、印刷电路板、显示面板等产业，可协助传统产业，如塑料、印刷、化工、金属材料等产业的转型。其在信息、能源、医疗、制造等各个领域的应用重要性日益凸显，已成为世界多国和跨国企业竞相发展的前沿技术。美国、欧盟、英国、日本等相继制定了以微纳电子器件制备为基础的集成电路技术的发展战略并投入大量科研经费，旨在抢占未来进一步的科学研究和产业发展中的先机。集成电路技术同样是我国研究人员高度关注的对象与国家重点支持的项目，近年来，我国科研人员在半导体材料制备、微纳电子器件制备与应用等方面开展了大量的基础研究工作，并取得了一定进展。目前，在微纳电子器件制备领域，电子元器件的薄膜电极材料沉积生长一般采用真空蒸镀的方式，但其工艺过程能耗高，且对真空度有着严格的要求。因此无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其特征在于，该方法是采用3D打印方法与光刻技术结合生长边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其特征在于，该方法是采用3D打印方法与光刻技术结合生长边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料。


2.根据权利要求1所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤1、在衬底上利用传统光刻技术光刻图案化电极结构；
步骤2、采用3D打印方法打印电极墨水并固化成膜；
步骤3、去胶后获得边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料。


3.根据权利要求2所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其特征在于，步骤1具体为：将衬底置于匀胶仪，在其上滴光刻胶，旋涂，软烘；接着将固化光刻胶的衬底用掩膜版遮盖，曝光，显影，获得图案化电极结构。


4.根据权利要求3所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其特征在于，匀胶仪的转速500r/min，转10s，然后升至2000r/min，转20s。


5.根据权利要求3所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其特征在于，软烘的温度为65-90℃，时间为5-30...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小天，沈兆伟，陆璐，岳廷峰，闫兴振，王超，赵春雷，迟耀丹，高晓红，朱慧超，杨帆，任伟，王艳杰，刘建文，王冶，
申请(专利权)人：吉林建筑大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22