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半导体结构和存储器制造技术
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文档序号:24640366
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一种半导体结构和一种存储器,所述半导体结构包括:衬底,所述衬底内形成有至少一个长条状有源区,所述有源区被隔离结构包围;同时位于所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构内的栅极凹槽,所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交,所述栅极凹槽包...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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