用于制造用于HEMT器件的欧姆接触的方法技术

一种用于制造用于HEMT器件的欧姆接触的方法，包括以下步骤：在包含异质结构的半导体本体上形成光刻胶层；在光刻胶层中形成开口，穿过该开口，半导体本体的表面区域暴露在所述异质结构处；使用光刻胶层作为蚀刻掩模蚀刻半导体本体的表面区域，以在异质结构中形成沟槽；在所述沟槽中和光刻胶层上沉积一个或更多个金属层；以及实施剥离光刻胶层的工艺。

Method for manufacturing ohmic contacts for HEMT devices

【技术实现步骤摘要】
用于制造用于HEMT器件的欧姆接触的方法
本公开涉及用于制造用于场效应晶体管的欧姆接触的方法，该晶体管具有高电子迁移率，被称为HEMT(HighElectronMobilityTransistor高电子迁移率晶体管)。特别地，本公开讨论用于无金的欧姆接触的自对齐过程，该过程可以被应用于例如HEMT器件的源极接触和漏极接触。
技术介绍
众所周知，HEMT器件包含异质结构，异质结构在两种不同材料的半导体之间具有界面，诸如氮化铝镓(AlGaN)和氮化镓(GaN)。当HEMT器件被适当偏置时，在该界面处诱导出二维电子气(2DEG)层。2DEG层代表具有高电荷密度的电子云，在电子云中电荷具有高迁移率。这些特性使得HEMT器件对射频(RF)应用并且在电力电子学中均具有吸引力。通常，HEMT器件包括用于源极和漏极端子的欧姆接触，该欧姆接触由金构成，以便能获得低接触和接入电阻(c.f.FerdinandoIucolano，GiuseppeGreco和FabrizioRoccaforte-应用物理快报(AppliedPhysicsLetters)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造用于高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的欧姆接触的方法，包括：/n在包含异质结构的半导体本体上形成底层；/n在所述底层上形成光刻胶层；/n形成穿过所述光刻胶层和所述底层的开口，所述半导体本体的表面区域穿过所述开口被暴露在所述异质结构的位置处；/n利用所述光刻胶层作为蚀刻掩膜来蚀刻所述半导体本体的表面区域，以在所述异质结构中形成沟槽；/n在所述沟槽中以及在所述光刻胶层上沉积一个或多个金属层；以及/n对所述底层和所述光刻胶层实施剥离工艺。/n

【技术特征摘要】
20181128 IT 1020180000106561.一种用于制造用于高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的欧姆接触的方法，包括：
在包含异质结构的半导体本体上形成底层；
在所述底层上形成光刻胶层；
形成穿过所述光刻胶层和所述底层的开口，所述半导体本体的表面区域穿过所述开口被暴露在所述异质结构的位置处；
利用所述光刻胶层作为蚀刻掩膜来蚀刻所述半导体本体的表面区域，以在所述异质结构中形成沟槽；
在所述沟槽中以及在所述光刻胶层上沉积一个或多个金属层；以及
对所述底层和所述光刻胶层实施剥离工艺。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述一个或多个金属层包括使用所述光刻胶层作为沉积掩膜。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述一个或多个金属层包括形成堆叠，所述堆叠包括与所述异质结构接触的金属界面层和在所述金属界面层上的金属填充层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述金属界面层包括沉积一层选自钛和钽的材料；以及形成所述金属填充层包括沉积铝层。


5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：对所述一个或多个金属层实施快速热退火工艺。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述快速热退火工艺在450℃至650℃之间的温度范围内被实施。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体本体包括基底、所述基底上的沟道层、以及所述沟道层上的阻挡层，所述沟槽被形成为穿过部分所述阻挡层或贯穿所述阻挡层的厚度。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述底层和光刻胶层中形成所述开口包括形成所述光刻胶层的突出部分，所述突出部分超过所述底层的侧壁延伸进入所述开口。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述剥离工艺包括在所述光刻胶层上的所述一个或多个金属层的部分上实施所述剥离工艺。


10.一种方法，包括：
在半导体本体上形成底层；
在所述底层上形成光刻胶层；
形成穿过所述光刻胶层和所述底层的开口，所述半导体本体的表面区域穿过所述开口而被暴露；
利用所述光刻胶层作为蚀刻掩膜来...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·尤克拉诺，C·特林加里，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT