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一种用于制造用于HEMT器件的欧姆接触的方法，包括以下步骤：在包含异质结构的半导体本体上形成光刻胶层；在光刻胶层中形成开口，穿过该开口，半导体本体的表面区域暴露在所述异质结构处；使用光刻胶层作为蚀刻掩模蚀刻半导体本体的表面区域，以在异质结构...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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