一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和漏极分别接N3的漏极和Q3的基极；所述nMOS管N1的源级接地，栅极接漏极接N2的漏极；所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND和GND；本实用新型专利技术的有益效果是：电路具有高集成度、高速、大驱动能力的特点，多值动态多输入浮栅技术又使得电路极大的降低了功耗，且电路工作状态可控。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，其特征在于：包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和漏极分别接N3的漏极和Q3的基极；所述nMOS管N1的源级接地，栅极接漏极接N2的漏极；所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND和GND；所述三极管Q1、Q2、Q3的基极分别接N2的源级、N3的源级、P2的漏极，所述三极管Q1、Q2、Q3的集电极分别接工作电压VDD、输出F、输出F，所述三极管Q1、Q2、Q3的发射极分别接输出F、GND、1/2VDD。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓慧，杭国强，周选昌，杨旸，章丹艳，
申请(专利权)人：浙江大学城市学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33