一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法，所述抗硫化芯片电阻器包括基板、两个正面电极、两个背面电极、电阻层、第一保护层、第二保护层、两个辅助电极层、两个真空镀膜层及两个电镀层。电阻层设置在所述基板的正上面，第一保护层在电阻层上面；第二保护层在所述第一保护层的上方；两个辅助电极层分别设置在两个所述正面电极上，两个所述辅助电极层分别与同侧的第二保护层连接；每一真空镀膜层位于所述基板的侧面；两个电镀层分别设置在所述基板的两个侧面，及靠近侧面的正背面。该结构牢固密封性强，可以有效地避免在冷热冲击下，接口缝隙的形成；有效地抵挡高温，高湿及油煮等严苛条件下的硫化侵蚀，耐候性更强。

An anti vulcanization chip resistor and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法
本专利技术涉及芯片电阻器
，尤其涉及一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法。
技术介绍
传统的芯片电阻器，一般包括：基板，基板上表面两端的一对正面电极，跨接上述正面电极的电阻体，覆盖电阻体与表面电极的保护层，基板下表面两端的一对背面电极，设置在基板长度方向两侧端面且桥接正面电极和背面电极的一对端面电极。在正面电极、端面电极和背面电极表面设置有镀镍层及镀锡层，镀镍层和镀锡层共同构成电阻器的衬底电极层。常规的芯片电阻器抗硫化方法，是在正面电极上覆盖镍合金阻隔层，或将镍锡电镀层覆盖到正面电极与保护层交接处，二者均能达成一定程度的抗硫化要求。但是，随着抗硫化要求的条件不断提升，如暴露在高温、高湿、油煮等各个严苛的测试老化过程中，镍合金，镍及锡电镀层与保护层结合性则明显的不足，在交叠处容易出现有界面缝隙，让硫化物容易沿着此界面入侵而致使产品失效。因此，结合上述存在的技术问题，有必要提供一种新的技术方案。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供了一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法，具体技术方案如下所述：本专利技术的一种抗硫化芯片电阻器，包括：基板，其具有正板面、背板面及侧面；背面电极，其相间隔设置在所述基板的背板面；正面电极，其相间隔设置在所述基板的正板面；电阻层，其设置在所述基板的正板面；第一保护层，其覆盖在所述电阻层上，且所述第一保护层相对的两边分别连接与所述正面电极上；第二保护层，其覆盖在所述第一保护层上，且所述第二保护层相对的两边分别连接于所述正面电极上；辅助电极层，其分别设置在两个所述正面电极上，且所述辅助电极层分别与同侧的第二保护层相交叠；真空镀膜层，其对称设置于所述基板的侧面，每个真空镀膜层自所述辅助电极层的上方向下延伸至背面电极上，且真空镀膜层覆盖于所述基板的侧面；电镀层，其分别对称覆盖与所述真空镀膜层上，每个电镀层自所述辅助电极层的上方向下延伸至背面电极上，且电镀层覆盖所述背面电极连接于所述基板上。进一步地，所述第一保护层、第二保护层、辅助电极层和电镀层电镀沉积后的镍及锡相重叠，形成所述第一保护区域。进一步地，所述正面电极采用高钯电极材料。进一步地，所述第一保护层为玻璃层；所述第二保护层为树脂层。进一步地，所述辅助电极层为树脂型导电材料，例如银材料。进一步地，所述基板为陶瓷基板。一种抗硫化芯片电阻器的制造方法，其包括以下步骤：S1.提供基板，所述基板具有正板面、背板面及侧面；S2.在所述基板的背板面设置背面电极，所述背面电极相间隔设置在所述基板的背板面，且每一个背面电极具有外侧面；S3.在所述基板的正板面设置两个正面电极，所述正面电极相间隔，且每一个正面电极具有外侧面；S4.在所述基板的正板面的中间区域形成电阻层，所述电阻层相对的两边分别与所述正面电极相连接；S5.在所述电阻层上方设置第一保护层，所述第一保护层相对的两边分别连接与所述正面电极上；S6.在所述第一保护层的上方设置第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第一保护层，且所述第二保护层相对的两边分别连接于所述正面电极上；S7.将两个辅助电极层分别设置在两个所述正面电极上，其中，所述辅助电极层分别与同侧的第二保护层相交叠；S8.将真空镀膜层对称设置于所述基板的侧面，每个真空镀膜层自所述辅助电极层的上方向下延伸至背面电极上，且真空镀膜层覆盖于所述陶瓷基板的侧面；S9.将两个电镀层分别对称覆盖于所述真空镀膜层上，每个电镀层自所述正面电极和辅助电极层的上方向下延伸至背面电极上，且电镀层覆盖所述背面电极连接于所述基板上。进一步地，步骤S2中，通过丝网印刷在所述基板的背板面形成两个背面电极；步骤S3中，通过丝网印刷在所述基板的正板面形成两个正面电极；步骤S4中，通过丝网印刷在所述基板的正板面形成电阻层；步骤S5中，通过丝网印刷在所述电阻层的上方形成第一保护层；步骤S6中，通过丝网印刷在所述第一保护层的上方形成第二保护层。进一步地，步骤S8中，在真空条件下，基板的两侧面电镀上镍铬合金，形成真空镀膜层；步骤S9中，在辅助电极层、背面电极和真空镀膜层的外侧电镀上镍和锡，形成电镀层。进一步地，所述第一保护层、第二保护层、辅助电极层和电镀层电镀沉积后的镍及锡相重叠，形成第一保护区域。本专利技术的一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法，具有如下有益效果：一、该抗硫结构牢固密封性强，可以有效地避免在冷热冲击下，接口缝隙的形成；有效地抵挡高温，高湿及油煮等严苛条件下的硫化侵蚀，耐候性更强。二、高钯电极材料与该结构结合，对硫化侵蚀形成多重保护，无需采用钯含量高达30％以上的电极浆，或是金浆、箔浆、或其混合物浆料等昂贵金属材料，已达到低成本的效益。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1是本实施例提供的抗硫化芯片电阻器的结构示意图；图2是本专利技术的抗硫化芯片电阻器的制作方法的流程示意图。其中，1-背面电极，2-正面电极，3-电阻层，4-第一保护层，5-第二保护层，6-辅助电极层，7-真空镀膜层，8-电镀层，9-第一保护区域，10-基板。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通或两个组件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。实施例请参阅图1与图2，图1是抗硫化芯片电阻器的结构示意图；图2是本专利技术的抗硫化芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗硫化芯片电阻器，其特征在于，包括：/n基板(10)，其具有正板面、背板面及侧面；/n背面电极(1)，其相间隔设置在所述基板(10)的背板面；/n正面电极(2)，其相间隔设置在所述基板(10)的正板面；/n电阻层(3)，其设置在所述基板(10)的正板面；/n第一保护层(4)，其覆盖在所述电阻层(3)上，且所述第一保护层(4)相对的两边分别连接与所述正面电极(2)上；/n第二保护层(5)，其覆盖在所述第一保护层(4)上，且所述第二保护层(5)相对的两边分别连接于所述正面电极(2)上；/n辅助电极层(6)，其分别设置在两个所述正面电极(2)上，且所述辅助电极层(6)分别与同侧的第二保护层(5)相交叠；/n真空镀膜层(7)，其对称设置于所述基板(10)的侧面，每个真空镀膜层(7)自所述辅助电极层(6)的上方向下延伸至背面电极(1)上，且真空镀膜层(7)覆盖于所述基板(10)的侧面；/n电镀层(8)，其分别对称覆盖与所述真空镀膜层(7)上，每个电镀层(8)自所述辅助电极层(6)的上方向下延伸至背面电极(1)上，且电镀层(8)覆盖所述背面电极连接于所述基板(10)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗硫化芯片电阻器，其特征在于，包括：
基板(10)，其具有正板面、背板面及侧面；
背面电极(1)，其相间隔设置在所述基板(10)的背板面；
正面电极(2)，其相间隔设置在所述基板(10)的正板面；
电阻层(3)，其设置在所述基板(10)的正板面；
第一保护层(4)，其覆盖在所述电阻层(3)上，且所述第一保护层(4)相对的两边分别连接与所述正面电极(2)上；
第二保护层(5)，其覆盖在所述第一保护层(4)上，且所述第二保护层(5)相对的两边分别连接于所述正面电极(2)上；
辅助电极层(6)，其分别设置在两个所述正面电极(2)上，且所述辅助电极层(6)分别与同侧的第二保护层(5)相交叠；
真空镀膜层(7)，其对称设置于所述基板(10)的侧面，每个真空镀膜层(7)自所述辅助电极层(6)的上方向下延伸至背面电极(1)上，且真空镀膜层(7)覆盖于所述基板(10)的侧面；
电镀层(8)，其分别对称覆盖与所述真空镀膜层(7)上，每个电镀层(8)自所述辅助电极层(6)的上方向下延伸至背面电极(1)上，且电镀层(8)覆盖所述背面电极连接于所述基板(10)上。


2.如权利要求1所述的抗硫化芯片电阻器，其特征在于，所述第一保护层(4)、第二保护层(5)、辅助电极层(6)和电镀层(8)电镀沉积后的镍及锡相重叠，形成所述第一保护区域(9)。


3.如权利要求1所述的抗硫化芯片电阻器，其特征在于，所述正面电极(2)采用高钯电极材料。


4.如权利要求1所述的抗硫化芯片电阻器，其特征在于，所述第一保护层(4)为玻璃层；
所述第二保护层(5)为树脂层。


5.如权利要求1所述的抗硫化芯片电阻器，其特征在于，所述辅助电极层(6)为树脂型导电材料，例如银材料。


6.如权利要求1所述的抗硫化芯片电阻器，其特征在于，所述基板(10)为陶瓷基板。


7.一种抗硫化芯片电阻器的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S1.提供基板(10)，所述基板(10)具有正板面、背板面及侧面；
S2.在所述基板(10)的背板面设置背面电极(1)，所述背面电极(1)相间隔设置在所述基板(10)的背板面，且每一个背面电极(1)具有外侧面；
S3.在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琦，蔡东谋，简高柏，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32