【技术实现步骤摘要】
一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器
本技术涉及一种熔断电阻器，尤其涉及一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器。
技术介绍
市面上现有的熔断电阻器按电阻体使用材料可分为线绕式熔断电阻器和膜式熔断电阻器，其中膜式熔断电阻器是使用最多的熔断电阻器；现有的膜式熔断电阻器膜层主要成份为镍、磷等，厚度只有0.3～2um，其抗脉冲能力只最大只有800V，无法满足更高的抗脉冲使用需求。
技术实现思路
本技术目的在于解决面上现有的膜式熔断电阻器所存在的上述问题，而提供一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器。本技术是通过以下技术方案来实现的：一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器，包括绝缘基体、引脚、膜层、封装涂层，所述绝缘基体两端均设有一根引脚，所述绝缘基体表面覆盖有膜层，所述膜层切割成螺纹状，所述绝缘基体和膜层表面密封覆盖有封装涂层。进一步地，所述膜层是镍、铬为主要成分的金属膜层，所述膜层的厚度不小于12um。本技术的有益效果在于：本产品结构简单合理，使用厚度不小于12um的镍、铬金属膜层，改善膜层硬...
【技术保护点】
1.一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器，其特征在于：包括绝缘基体、引脚、膜层、封装涂层，所述绝缘基体两端均设有一根引脚，所述绝缘基体表面覆盖有膜层，所述膜层切割成螺纹状，所述绝缘基体和膜层表面密封覆盖有封装涂层；/n所述膜层是镍、铬为主要成分的金属膜层，所述膜层的厚度不小于12um。/n
【技术特征摘要】
1.一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器，其特征在于：包括绝缘基体、引脚、膜层、封装涂层，所述绝缘基体两端均设有一根引脚，所述绝缘基体表面覆盖有膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱丰，韩秀芬，彭金，
申请(专利权)人：河源市新格瑞特电子有限公司，深圳市格瑞特电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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