一种CVD金刚石基体片式电阻器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体和设置在所述CVD金刚石基体上的导电层、氮化钽电阻层，所述导电层包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体的正面上，所述氮化钽电阻层两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。本实用新型专利技术具有极小尺寸，功率极大、极优秀的高频性能，并且综合性能远超常规的陶瓷基体类射频电阻等优点。

A CVD diamond based chip resistor

【技术实现步骤摘要】
一种CVD金刚石基体片式电阻器
本技术涉及一种CVD金刚石基体片式电阻器，属于电子元器件

技术介绍
目前市场上的片式射频电阻器的制作通常有两种方式。其一是在陶瓷基板上印刷并烧结电子浆料，形成厚膜导电层和电阻层，其二是通过在陶瓷基板上印刷并烧结电子浆料形成厚膜导电层，电阻层则通过磁控溅射形成薄膜层。其特点是体积小、功率大、高频特性较好(使用频率低于20GHz)。但两种方案都受陶瓷基板(如氧化铍、氮化铝、氧化铝等)本身的限制，导致产品功率和频率不能同时达到立项要求。
技术实现思路
本技术主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种具有功率极大、极优秀的高频性能的CVD金刚石基体片式电阻器。本技术解决上述技术问题所提供的技术方案是：一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体和设置在所述CVD金刚石基体上的导电层、氮化钽电阻层，所述导电层包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体的正面上，所述氮化钽电阻层两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。进一步的技术方案是，所述凹槽的个数为两个，并行设置在上端部分靠近CVD金刚石基体侧面的一端。进一步的技术方案是，所述下端部分全部覆盖住所述CVD金刚石基体下端面以及背面。进一步的技术方案是，所述导电层、氮化钽电阻层均采用薄膜光刻的工艺制作。本技术具有以下有益效果：本技术具有极小尺寸，功率极大、极优秀的高频性能，并且综合性能远超常规的陶瓷基体类射频电阻等优点。附图说明图1是本技术的外形示意图；图2是本技术的主视结构示意图；图3是本技术的左视结构示意图。图中标记：1-CVD金刚石基体；2-导电层；3-氮化钽电阻层。具体实施方式下面结合实施例和附图对本技术做更进一步的说明。如图1-3所示，本技术的一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体1和设置在所述CVD金刚石基体1上的导电层2、氮化钽电阻层3，所述导电层2包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层3、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体1的正面上，所述氮化钽电阻层3两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体1的下端面以及背面，所述上端部分具有两个凹槽，并行设置在上端部分靠近CVD金刚石基体1侧面的一端。上述实施例的制备过程为：首先在CVD金刚石基体上通过磁控溅射形成各金属层，然后通过电镀的方式增加金属层的厚度，接着通过光刻工艺形成尺寸较高精度的电阻图形及微带图形，最后通过加热的方式形成满足电阻值的产品，其产品尺寸为1.6mm×0.8mm×0.38mm，功率可达50W，使用频率可达28GHz。如图3所示，本实施例中，所述下端部分全部覆盖住所述CVD金刚石基体1下端面以及背面。本实施例中优选的实施方式是，所述导电层2、氮化钽电阻层3均采用薄膜光刻的工艺制作。本实施例还具有以下的优点：1、特殊的基板材料：产品基板材料选用特殊的CVD金刚石，保证产品极小体积承受极大功率，同时CVD金刚石基体远低于常规陶瓷基体的介电常数保障了产品优秀的高频特性。常规陶瓷与CVD金刚石基体性能对比材料氧化铝氮化铝氧化铍CVDCVD金刚石导热率(W/m*K)301802751000-1800相对介电常数9.06.79.55.72、高精准的图形精度：常规厚膜印刷工艺图形精度仅能达到0.1mm。当遇到微带线图形仅为0.1mm高频设计图形时，厚膜工艺完全无法满足要求。而采用在半导体行业的光刻工艺，图形精度达到±0.02mm，足以满足产品的高频使用。3、特殊的调阻方式：产品通过热处理的调阻方式，通过氮化钽电阻层3在高温加热条件下变化使产品达到目标阻值，不仅不会如激光调阻减少电阻膜的有效面积，而且使电阻膜层更佳稳定。以上所述，并非对本技术作任何形式上的限制，虽然本技术已通过上述实施例揭示，然而并非用以限定本技术，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围内，当可利用上述揭示的
技术实现思路
作出些变动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CVD金刚石基体片式电阻器，其特征在于，包括CVD金刚石基体(1)和设置在所述CVD金刚石基体(1)上的导电层(2)、氮化钽电阻层(3)，所述导电层(2)包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层(3)、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体(1)的正面上，所述氮化钽电阻层(3)两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体(1)的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种CVD金刚石基体片式电阻器，其特征在于，包括CVD金刚石基体(1)和设置在所述CVD金刚石基体(1)上的导电层(2)、氮化钽电阻层(3)，所述导电层(2)包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层(3)、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体(1)的正面上，所述氮化钽电阻层(3)两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体(1)的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雷，王元宇，许春宁，杨佳鸣，
申请(专利权)人：四川永星电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51