变阻器及制造变阻器的方法技术

本公开提供了一种变阻器及制造变阻器的方法，所述变阻器包括：基板；第一电极和第二电极，分别设置在所述基板的上侧和下侧上；芯变阻器主体，被所述基板围绕并且设置在所述第一电极和所述第二电极之间；第一端子和第二端子，所述第一端子的至少部分和所述第二端子的至少部分分别设置在所述基板的一端和另一端上，并且所述第一端子和所述第二端子分别电连接到所述第一电极和所述第二电极；以及盖变阻器主体，覆盖所述芯变阻器主体并且设置在比所述基板的上表面高的高度或设置在比所述基板的下表面低的高度。

Rheostat and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
变阻器及制造变阻器的方法本申请要求于2018年11月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0148323号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种变阻器及制造变阻器的方法。
技术介绍
通常，诸如高级IT终端等的信息通信装置已经被设计为包括应用了精细线宽技术的具有增大的集成密度的半导体器件/芯片/模块，并且被设计为使用诸如多层陶瓷电容器(MLCC)的高效无源器件，以减小尺寸并使用低功率。然而，这种半导体器件/芯片/模块可能在耐受电压等方面存在弱点，使得半导体器件/芯片/模块由于以各种路径引起的电涌或静电放电(ESD)可能损坏或可能故障。变阻器可用于吸收电涌或过滤静电放电。而且，近来，汽车已经被开发为基于ICT融合的高度先进的电子产品，而不是被开发为机械产品。汽车中包括的半导体器件/芯片/模块和无源器件也可能由于电涌或静电放电而损坏或发生故障。例如，如果智能汽车由于任何这种原因而发生故障，则可能损害驾驶员和行人的安全。因此，防止电涌流入电路并控制电涌可能是重要的。因此，汽车可使用变阻器来保护半导体器件/芯片/模块。如上所述，变阻器已越来越多地用于各个领域，因此可能需要变阻器具有各种特性以用于各个领域。例如，可能需要在相对不利的环境中使用的变阻器(诸如，用作车辆组件)具有增加的强度，并且可能需要在IT终端中使用的变阻器在指定单元尺寸中具有提高的强度，使得变阻器可具有易于小型化的结构。确定变阻器的强度的因素中的一个可以是晶界。但是，仅基于晶界可能难以确保高强度。
技术实现思路
本公开的一方面在于提供一种具有改善的强度和/或具有促进小型化的结构的变阻器及制造所述变阻器的方法。根据本公开的一方面，提供一种变阻器，所述变阻器包括：基板；第一电极和第二电极，分别设置在所述基板的上侧和下侧上；芯变阻器主体，被所述基板围绕并且设置在所述第一电极和所述第二电极之间；第一端子和第二端子，所述第一端子的至少部分和所述第二端子的至少部分分别设置在所述基板的一端和另一端上，并且所述第一端子和所述第二端子分别电连接到所述第一电极和所述第二电极；以及盖变阻器主体，覆盖所述芯变阻器主体并且设置在比所述基板的上表面高的高度或设置在比所述基板的下表面低的高度。根据本公开的一方面，提供了一种制造变阻器的方法，所述方法包括：在基板中形成通孔；在所述通孔上印刷第一变阻器膏；干燥其中所述通孔的至少一部分利用所述第一变阻器膏填充的所述基板；在所干燥的基板的所述通孔的上侧或下侧上印刷第二变阻器膏；烧结其上印刷有所述第二变阻器膏的所述基板；在所烧结的基板的上侧和下侧上分别形成第一电极和第二电极；以及在所烧结的基板的一端和另一端上分别形成第一端子和第二端子。根据本公开的一方面，提供了一种变阻器，所述变阻器包括：基板；第一芯变阻器主体，穿透所述基板并且从所述基板的上表面和下表面暴露；第一端子和第二端子，分别设置在所述基板的相对的端部上，并且延伸到所述基板的所述上表面和所述下表面上；第一电极，从所述第一端子的在所述上表面上的延伸部延伸，并且覆盖所述第一芯变阻器主体的从所述上表面暴露的第一端；以及第二电极，从所述第二端子的在所述下表面上的延伸部延伸，并且覆盖所述第一芯变阻器主体的从所述下表面暴露的第二端。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1A是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的单芯结构的透视图；图1B是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的多芯结构的透视图；图2A是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的单芯结构的侧视图；图2B和图2C是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的多芯结构的侧视图；图3A是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的单芯结构的平面图；图3B和图3C是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的多芯结构的平面图；图3D和图3E是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的多芯结构的芯在变阻器的上表面和下表面上的布置的示图；图4A至图4D是示出根据本公开的示例实施例的变阻器的多变阻器单元结构的示例的平面图；图5A是示出根据本公开的示例实施例的制造在制造变阻器中使用的变阻器膏的工艺的流程图；以及图5B是示出根据本公开的示例实施例的制造变阻器的方法的流程图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。以充分的细节描述这些实施例以使本领域技术人员能够实现本专利技术。应当理解，本专利技术的各种实施例尽管不同，但不一定相互排斥。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在本公开中的实施例中描述为示例的结构、形状和尺寸可在另一示例实施例中实现。为了描述清楚，附图中的元件的形状和尺寸可被放大，并且相同的元件将由相同的附图标记表示。为了描述清楚，可省略或简要地示出一些元件，并且可放大元件的厚度以清楚地表示层和区域。将理解，当部分“包括”元件时，除非另外指出，否则它可进一步包括另一元件，而不排除另一元件。关于六面体的方向，在附图中指示的L、W和T分别被定义为长度方向、宽度方向和厚度方向。图1A是示出根据示例实施例的变阻器的单芯结构的透视图。图2A是示出根据示例实施例的变阻器的单芯结构的侧视图。参照图1A和图2A，示例实施例中的变阻器100a可包括芯变阻器主体110a、盖变阻器主体111a和112a、第一电极121、第二电极122、第一端子131、第二端子132和基板140。芯变阻器主体110a及盖变阻器主体111a和112a的电阻值可改变。换言之，芯变阻器主体110a及盖变阻器主体111a和112a可具有非线性I-V(电流-电压)特性。例如，芯变阻器主体110a及盖变阻器主体111a和112a可包括ZnO，并且可利用ZnO-Bi2O3基材料和ZnO-Pr6O11基材料实现，并且还可包括诸如Zn、Bi、Sb、Co、Mn、Si、Ni、Zr等的添加剂。添加剂可与芯变阻器主体110a以及盖变阻器主体111a和112a的二次结晶相(secondarycrystallinephase)的形成以及液相的形成有关。在一个示例中，芯变阻器主体110a及盖变阻器主体111a和112a可利用相同材料制成，但是本公开不限于此。第一电极121和第二电极122可分别设置在基板140的上侧和下侧上。当施加在第一电极121和第二电极122之间的电压相对低时，芯变阻器主体110a及盖变阻器主体111a和112a可具有相对高的电阻值，并且可使第一电极121和第二电极122彼此绝缘。施加在第一电极121和第二电极122之间的电压越高，芯变阻器主体110a及盖变阻器主体111a和112a的电阻值越低，并且当电压高于变阻器100a的击穿电压时电阻值可迅速减小。因此，施加在第一电极121和第二电极122之间的电压可在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种变阻器，包括：/n基板；/n第一电极和第二电极，分别设置在所述基板的上侧和下侧上；/n第一芯变阻器主体，被所述基板围绕并且设置在所述第一电极和所述第二电极之间；/n第一端子和第二端子，所述第一端子的至少部分和所述第二端子的至少部分分别设置在所述基板的一端和另一端上，并且所述第一端子和所述第二端子分别电连接到所述第一电极和所述第二电极；以及/n第一盖变阻器主体，覆盖所述第一芯变阻器主体并且设置在比所述基板的上表面高的高度或设置在比所述基板的下表面低的高度。/n

【技术特征摘要】
20181127 KR 10-2018-01483231.一种变阻器，包括：
基板；
第一电极和第二电极，分别设置在所述基板的上侧和下侧上；
第一芯变阻器主体，被所述基板围绕并且设置在所述第一电极和所述第二电极之间；
第一端子和第二端子，所述第一端子的至少部分和所述第二端子的至少部分分别设置在所述基板的一端和另一端上，并且所述第一端子和所述第二端子分别电连接到所述第一电极和所述第二电极；以及
第一盖变阻器主体，覆盖所述第一芯变阻器主体并且设置在比所述基板的上表面高的高度或设置在比所述基板的下表面低的高度。


2.根据权利要求1所述的变阻器，其中，所述第一盖变阻器主体的上表面或下表面的面积大于所述第一芯变阻器主体的下表面或上表面的面积。


3.根据权利要求2所述的变阻器，其中，所述第一盖变阻器主体设置在所述第一芯变阻器主体的上侧和下侧上，并且与所述第一芯变阻器主体具有I形的形式。


4.根据权利要求3所述的变阻器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个的宽度大于所述第一盖变阻器主体的宽度并且小于所述基板的宽度。


5.根据权利要求1所述的变阻器，还包括：
第二芯变阻器主体，被所述基板围绕；以及
第二盖变阻器主体，覆盖所述第二芯变阻器主体并且设置在比所述基板的所述上表面高的高度或设置在比所述基板的所述下表面低的高度。


6.根据权利要求5所述的变阻器，其中，所述第二盖变阻器主体覆盖所述第一盖变阻器主体，并且
所述第一盖变阻器主体和所述第二盖变阻器主体设置在所述基板的相对的侧上。


7.根据权利要求5所述的变阻器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一个被构造为将所述第一盖变阻器主体的至少一部分和所述第二盖变阻器主体的至少一部分一起覆盖。


8.根据权利要求5所述的变阻器，还包括：
第三电极，具有设置在所述第二芯变阻器主体或所述第二盖变阻器主体的上侧上的一部分；以及
第四电极，具有设置在所述第二芯变阻器主体或所述第二盖变阻器主体的下侧上的一部分，
其中，所述第一电极的一部分设置在所述第一芯变阻器主体或所述第一盖变阻器主体的上侧上，并且与所述第三电极间隔开，并且
所述第二电极的一部分设置在所述第一芯变阻器主体或所述第一盖变阻器主体的下侧上，并且与所述第四电极间隔开。


9.根据权利要求8所述的变阻器，
其中，所述第三电极和所述第四电极在长度方向上延伸，并且
所述第一芯变阻器主体和所述第二芯变阻器主体中的一个设置为相对于所述基板的在所述长度方向上的中心与一侧邻近，并且所述第一芯变阻器主体和所述第二芯变阻器主体中的另一个设置为相对于所述基板的在所述长度方向上的所述中心与另一侧邻近。


10.根据权利要求8所述的变阻器，
其中，所述第三电极包括第三盖电极部和第三引出电极部，所述第三盖电极部设置在所述第二芯变阻器主体或所述第二盖变阻器主体的上侧上，所述第三引出电极部被构造为将所述第三盖电极部电连接到所述第一端子和所述第二端子中的一者；所述第四电极包括第四盖电极部和第四引出电极部，所述第四盖电极部设置在所述第二芯变阻器主体或所述第二盖变阻器主体的下侧上，所述第四引出电极部被构造为将所述第四盖电极部电连接到所述第一端子和所述第二端子中的另一者，并且
所述第三盖电极部和所述第四盖电极部的宽度分别大于所述第三引出电极部和所述第四引出电极部的宽度。


11.根据权利要求8所述的变阻器，还包括：
第一绝缘层，覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：金益燮，金正逸，金龙性，金海仁，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR