一种功率芯片电阻器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种功率芯片电阻器，包括陶瓷基板，上表面电极，上表面电阻层，第一上表面保护层，第二上表面保护层，下表面电极，所述陶瓷基板的两端面涂敷一层端面电极，所述端面电极连接所述上表面电极和所述下表面电极，在所述下表面电极之间搭接有下表面电阻层，在所述下表面电阻层上面覆盖第一下表面保护层，所述第一下表面保护层沿长度方向部分覆盖所述下表面电阻层，在所述第一下表面保护层上覆盖第二下表面保护层，在所有电极表面覆盖电镀层，所述上表面电阻层和下表面电阻层并联。解决了小尺寸芯片电阻器的功率问题及电极焊接困难问题，大大促进小尺寸芯片电阻器的应用领域。

【技术实现步骤摘要】
一种功率芯片电阻器
本技术涉及电阻器领域，进一步来说，涉及片式电阻器领域，具体来说，涉及功率芯片电阻器领域。
技术介绍
在一般的芯片电阻器,如图1所示,在陶瓷基板1的上表面长度方向设有一对上表面电极2，桥接在上表面电极上的上表面电阻层4，覆盖电阻层的第一上表面保护层6，覆盖第一上表面保护层6及部分上电级上的第二上表面保护层8，在第二上表面保护层8上的标识层13；在陶瓷基板1的下表面有一对下表面电极3，与上表面电极2的位置对应；陶瓷基板两端涂敷的端面电极11，连接上表面电极2和背部电极3；以及在这些电极表面的电极镀层12。在使用时，通过背面电极镀层与电路上焊盘进行焊接结合，通过端面电极11实现背部电极与上表面电极通电。然而，这种芯片电阻器全部由上表面电阻层4承受功率，由于芯片电阻器尺寸小，能承受的功率有限，尽管通过增加电阻层膜层厚度、电阻层修调比例或修调方式可以提高该类芯片电阻器承受的功率，但提升值有限。随着电子技术的不断发展，要求芯片电阻器的尺寸越来越小，又必须能承受较大的功率，特别是开关电路或保护电路等存在浪涌或脉冲现象的电路中，瞬间大功率容易造成电阻器损坏。芯片电阻器的尺寸越来越小与要求承受的大功率之间存在相互矛盾的问题，限制了芯片电阻器的尺寸进一步缩小。同时随着下表面电极尺寸的减小，在与电路板焊盘焊接结合时易出现焊接不牢，增加焊接难度的问题。本技术的技术方案旨在为解决这一技术问题。在中国专利数据库中涉及芯片电阻器的专利有《超小型片式厚膜固定电阻器及制作方法》公开(公告)号为CN110289143A，《一种新型片式电阻器》公开(公告)号为CN209266121U，《一种贴片电阻器》公开(公告)号为CN209388804U，《一种贴片电阻器及其加工方法》公开(公告)号为CN109830351A，《一种贴片电阻器及柔性电路板》公开(公告)号为CN207909612U，《一种高阻贴片电阻器》公开(公告)号为CN207282239U，《厚膜高压贴片电阻器及其制造方法》公开(公告)号为CN107180690A。然而迄今为止，尚无采用本实用所述的技术方案解决芯片电阻器的尺寸越来越小与要求承受的大功率之间存在相互矛盾、小尺寸电极焊接困难等问题的申请件。
技术实现思路
本技术鉴于这种现有技术的实际情况提出的技术方案，其目的提供一种解决芯片电阻器的尺寸越来越小与要求承受的大功率之间存在相互矛盾、小尺寸电极焊接困难等问题的芯片电阻器。作为提升芯片电阻器承受功率的方法，本技术通过在芯片电阻器陶瓷基板的下表面制作另一个电阻层，通过端面电极使下表面电阻层与上表面电阻层实现并联，不增加芯片电阻器尺寸的情况下，可以有效提升芯片电阻器承受功率能力，实现芯片电阻器功率的提升。另一方面，芯片电阻器陶瓷基板下表面增加一个电阻层及两层保护层后，在下表面造成电阻层及两层保护层呈凸起状，其厚度高于两端电极，同时下表面由于增加电阻层，造成下表面两端电极沿长度方向尺寸减小，在与电路板焊盘焊接结合时易出现焊接不牢，增加焊接难度。为了解决上述问题，本技术采用如图2所示的功率芯片电阻器结构。所述功率芯片电阻器包括：长方体形状的陶瓷基板1，设置在陶瓷基板1上表面长度方向的一对上表面电极2，桥接在上表面电极2之间的上表面电阻层4，在上表面电阻层4上面的第一上表面保护层6，沿长度方向部分覆盖上表面电阻层4，在第一上表面保护层6上覆盖第二上表面保护层8，所述第二上表面保护层8完全覆盖第一上表面保护层6和上表面电阻层4，部分覆盖两端的上表面电极2，在第二上表面保护层8上有树脂标识13，形成电阻R1。设置在陶瓷基板下表面沿长度方向的一对下表面电极3，搭接在下表面电极3之间的下表面电阻层5，在下表面电阻层5上面的第一下表面保护层7，所述第一下表面保护层7沿长度方向部分覆盖下表面电阻层5，所述第一下表面保护层7上覆盖第二下表面保护层9，所述第二下表面保护层9完全覆盖第一下表面保护层7和下表面电阻层5，部分覆盖两端下表面电极3，在第二下表面保护层9两端的下表面导体层10部分覆盖第二下表面保护层9的两端，覆盖两端下表面电极3的2/3以上长度，形成电阻R2。陶瓷基板1的两端面涂敷一层端面电极11，在所有电极表面覆盖电镀层12，实现电阻R1和电阻R2并联，形成电阻R(1/R＝1/R1+1/R2)，提升了芯片电阻器的功率。上表面电阻层4和下表面电阻层5承受的功率分别为P1和P2,整个芯片电阻器承受的功率P，则P1＜P≤(P1+P2)。所述第二上表面保护层8、第二下表面保护层9为环氧树脂材料。所述第二上表面保护层8的颜色为黑色，所述第二下表面保护层9的颜色与陶瓷基板颜色接近。所述第一上表面保护层6、第一下表面保护层7为玻璃材料。所述上表面电阻层4的阻值R1小于等于下表面电阻层5的阻值R2，即R1≤P2。所述上表面电阻层4的第二上表面保护层8的厚度大于下表面电阻层5的第二下表面保护层9的厚度。所述下表面电阻层5的第二下表面保护层9两端下表面导体层10的厚度略大于第二下表面保护层9的厚度。所述第二下表面保护层9两端的导体层10部分覆盖所述第二下表面保护层9的两端，同时，覆盖所述下表面电极3长度的2/3以上，有效增加焊盘面积，减小贴装焊接难度。附图说明图1为现有芯片电阻器的结构示意图图2为本技术的结构示意图附图中的符号说明：1——陶瓷基板，2——上表面电极，3——下表面电极，4——上表面电阻层，5——下表面电阻层，6——第一上表面保护层，7——第一下表面保护层，8——第二上表面保护层，9——第二下表面保护层，10——下表面导体层，11——端面电极，12——电极表面电镀层，13——上表面标识。具体实施方式1、优选实施例一如图2所示：陶瓷基板1为氧化铝陶瓷。在陶瓷基板1上表面印刷上表面电极2，然后在陶瓷基板1下表面印刷下表面电极3，两层电极尺寸相同，材料皆为银钯；在上表面电极2和下表面电极3之间各印刷上表面电阻层4、下表面电阻层5，大小尺寸一致，材料皆为氧化钌系浆料，上表面电阻层4阻值R1小于等于下表面电阻层5阻值R2；在上表电阻层4和下表面电阻层5上各印刷一层第一上表面保护层6、第一下表面保护层7，两层保护玻璃尺寸大小、材料和制造工艺参数相同，材料为玻璃；采用相同激光调阻工艺对上表面电阻层4和下表面电阻层5阻值修调；在第一上表面保护层6上多次印刷第二上表面保护层8，第一下表面保护层7上一次印刷第二下表面保护层9，第二上表面保护层8和第二下表面保护层9长宽尺寸大小相同，但第二上表面保护层8厚度须大于第二下表面保护层9，材料为环氧树脂；第二下表面保护层9两端印刷一层下表面导体层10，材料为银钯，覆盖部分第二下表面保护层9两端，以增加焊接区域，同时在陶瓷基板1长度方向覆盖下表面电极3的2/3以上长度，宽度方向完全覆盖，以保证下表面导体层10与下表面电极3的良好结合；第二上表面保护层8上面印刷一层标识层13，陶瓷基板1两端涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率芯片电阻器，包括陶瓷基板(1)，上表面电极(2)，上表面电阻层(4)，第一上表面保护层(6)，第二上表面保护层(8)，下表面电极(3)，所述陶瓷基板(1)的两端面涂敷一层端面电极(11)，所述端面电极(11)连接所述上表面电极(2)和所述下表面电极(3)，其特征在于：在所述下表面电极(3)之间搭接有下表面电阻层(5)，在所述下表面电阻层(5)上面覆盖第一下表面保护层(7)，所述第一下表面保护层(7)沿长度方向部分覆盖所述下表面电阻层(5)，在所述第一下表面保护层(7)上覆盖第二下表面保护层(9)，所述第二下表面保护层(9)完全覆盖所述第一下表面保护层(7)和所述下表面电阻层(5)，所述第二下表面保护层(9)部分覆盖所述下表面电极(3)，在所述第二下表面保护层(9)两端的下表面导体层(10)部分覆盖所述第二下表面保护层(9)的两端，在所有电极表面覆盖电镀层(12)，所述上表面电阻层(4)和下表面电阻层(5)并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率芯片电阻器，包括陶瓷基板(1)，上表面电极(2)，上表面电阻层(4)，第一上表面保护层(6)，第二上表面保护层(8)，下表面电极(3)，所述陶瓷基板(1)的两端面涂敷一层端面电极(11)，所述端面电极(11)连接所述上表面电极(2)和所述下表面电极(3)，其特征在于：在所述下表面电极(3)之间搭接有下表面电阻层(5)，在所述下表面电阻层(5)上面覆盖第一下表面保护层(7)，所述第一下表面保护层(7)沿长度方向部分覆盖所述下表面电阻层(5)，在所述第一下表面保护层(7)上覆盖第二下表面保护层(9)，所述第二下表面保护层(9)完全覆盖所述第一下表面保护层(7)和所述下表面电阻层(5)，所述第二下表面保护层(9)部分覆盖所述下表面电极(3)，在所述第二下表面保护层(9)两端的下表面导体层(10)部分覆盖所述第二下表面保护层(9)的两端，在所有电极表面覆盖电镀层(12)，所述上表面电阻层(4)和下表面电阻层(5)并联。


2.如权利要求1所述的功率芯片电阻器，其特征在于：所述陶瓷基板(1)为长方面，所述陶瓷基板(1)为氧化铝陶瓷。


3.如权利要求1所述的功率芯片电阻器，其特征在于：所述上表面电极(2)、下表面电极(3)、下表面导体层(10)的材料为银钯。


4.如权利要求1所述的功率芯片电阻器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：查远华，黄伟训，方亮，廖东，黄钰洁，徐敏，韩玉成，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州;52