【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种高功率电阻器的制造方法。
技术介绍
1、高功率电阻器一般适用于电子测量仪器中，以提供电流测量的功能。现有的高功率电阻器大多利用绝缘陶瓷基板或高导热氮化铝基板来当作附加电路板(substrate)，然后再利用贴合(pasting)工艺来将电阻材料粘贴在附加电路板上，或是利用物理气相沉积(physical vapor deposition；pvd)工艺来将电阻材料沉积于附加电路板上，接着再形成保护层和端电极于电阻材料/附加电路板上，以形成高功率电阻器。
2、考虑利用贴合工艺来将电阻材料粘贴在附加电路板上的现有操作，此现有操作需要利用粘胶层来将电阻材料粘贴在附加电路板。一般而言，厚度越厚的电阻材料所需要的粘胶层要越厚，如此便会影响附加电路板的散热效果，而产生散热问题。
3、考虑利用物理气相沉积工艺来将电阻材料沉积于附加电路板上的现有操作，当需要低阻值的电阻器而沉积较厚的电阻材料于附加电路板上时，电阻材料会因为热涨冷缩而容易产生分层(split)问题，即电阻材料自附加电路板分离。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提出一种高功率电阻器与其制造方法，其可避免现有高功率电阻器工艺所造成的散热问题和分层问题。
2、根据本专利技术的一实施例，上述高功率电阻器的制造方法包含：提供电阻基材，其中此电阻基材包含铜金属层；利用铜金属层来形成氧化亚铜层于电阻基材上；粘贴电阻基材于陶瓷基材上，其中氧化亚铜层位于电阻基材与陶瓷基材之间；对电阻基材和陶瓷
3、在一些实施例中，提供电阻基材的步骤包含：提供合金电阻材料；以及对合金电阻材料进行电镀工艺，以形成铜金属层于合金电阻材料上。
4、在一些实施例中，提供电阻基材的步骤包含：提供合金电阻材料；以及进行冷压工艺，以将铜金属层接合于合金电阻材料上。
5、在一些实施例中，形成氧化亚铜层于电阻基材上的步骤包含：对铜金属层进行酸洗工艺，以形成氧化亚铜层。
6、在一些实施例中，形成氧化亚铜层于电阻基材上的步骤包含：对铜金属层进行氧气等离子体处理，以形成氧化亚铜层。
7、在一些实施例中，粘贴电阻基材于陶瓷基材上的步骤利用粘胶层来将电阻基材粘贴于陶瓷基材上。
8、在一些实施例中，陶瓷基材的材质为氮化铝，高功率电阻器的制造方法还包含：在粘贴电阻基材于陶瓷基材上的步骤之前，对陶瓷基材进行第二烧结工艺，以形成氧化铝层于陶瓷基材的表面上。
9、在一些实施例中，第二烧结工艺的温度大于850℃，且小于1100℃。
10、在一些实施例中，第一烧结工艺的温度大于或等于1000℃，且小于或等于1200℃。
11、在一些实施例中，第一烧结工艺利用氮气炉或真空炉来进行。
12、根据本专利技术的一实施例，上述的高功率电阻器包含：复合基材以及多个端电极。这些端电极设置于复合基材上。复合基材包含陶瓷基材、合金电阻材料以及接合层。合金电阻材料设置于陶瓷基材上。接合层设置于陶瓷基材与电阻基材之间，以将合金电阻材料接合(bonding)于陶瓷基材上，其中接合层包含经烧结的氧化亚铜。
13、在一些实施例中，陶瓷基材的材料为氧化铝(al2o3)或氮化铝。
14、在一些实施例中，复合基材具有相对的两端部，上述的端电极包含第一端电极和第二端电极，第一端电极位于此两端部的一者上，第二端电极位于此两端部的另一者上，高功率电阻器还包含至少一保护层，设置于合金电阻材料上，且位于第一端电极与第二端电极之间。
15、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
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1.一种高功率电阻器的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，提供该电阻基材的步骤包含：
3.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，提供该电阻基材的步骤包含：
4.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，形成该氧化亚铜层于该电阻基材上的步骤包含：
5.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，形成该氧化亚铜层于该电阻基材上的步骤包含：
6.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，粘贴该电阻基材于该陶瓷基材上的步骤利用粘胶层来将该电阻基材粘贴于该陶瓷基材上。
7.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，该陶瓷基材的材质为氮化铝(AlN)，该高功率电阻器的制造方法还包含：
8.根据权利要求7所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，其中该第二烧结工艺的温度大于850℃，且小于1100℃。
9.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，其中该第一烧结
10.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，该第一烧结工艺利用氮气炉或真空炉来进行。
11.一种高功率电阻器，其特征在于，包含：
12.根据权利要求11所述的高功率电阻器，其特征在于，该陶瓷基材的材料为氧化铝(Al2O3)或氮化铝。
13.根据权利要求11所述的高功率电阻器，其特征在于，该复合基材具有相对的两端部，所述多个端电极包含第一端电极和第二端电极，该第一端电极位于该两端部的一者上，该第二端电极位于该两端部的另一者上，该高功率电阻器还包含至少一保护层，设置于该合金电阻材料上，且位于该第一端电极与该第二端电极之间。
...【技术特征摘要】
1.一种高功率电阻器的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，提供该电阻基材的步骤包含：
3.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，提供该电阻基材的步骤包含：
4.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，形成该氧化亚铜层于该电阻基材上的步骤包含：
5.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，形成该氧化亚铜层于该电阻基材上的步骤包含：
6.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，粘贴该电阻基材于该陶瓷基材上的步骤利用粘胶层来将该电阻基材粘贴于该陶瓷基材上。
7.根据权利要求1所述的高功率电阻器的制造方法，其特征在于，该陶瓷基材的材质为氮化铝(aln)，该高功率电阻器的制造方法还包含：
8.根据权利要求7所述的高功率电...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧胜利，李焕文，黄福盛，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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