【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种mlcc制作工艺，尤其涉及一种mlcc切割方法。
技术介绍
1、贴片电容，也称为mlcc，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合而成，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体。
2、其中，mlcc基本的制造工艺如下：首先将陶瓷粉末混合溶剂、分散剂、黏合剂和增塑剂，形成均匀的、悬浊液形态的陶瓷浆料；然后通过流延、载膜工艺形成一层均匀的浆料薄层，通过热风区干燥后(将浆料中绝大部分溶剂挥发)可得到致密、厚度均匀并具有足够强度的陶瓷膜片，膜片厚度一般在10微米～30微米之间；根据工艺要求，将设计的电极图形借助丝网印刷技术印刷到陶瓷膜片上；在叠压、层压过程中，印刷的膜片需一层层的精确对准，并使层与层之间更加致密、严实的结合；在切割形成独立的电容器生坯后，通过排胶工艺进行高温烘烤，以去除芯片中的粘合剂等有机物质；随后，陶瓷电容器烧结强化使膜片间致密结合，形成具有高机械强度、优良电气性能的陶瓷体；最后通过端封和烧结工艺，将同侧内部电极连接起来形成端电极；经过外观筛选以及电性能测试后的陶瓷电容器就完成了所有的制造工艺可以编带入库了。
3、其中，在将切割成独立的电容器生胚的工艺中，其先将未切割的生胚贴发泡胶膜(用以保证切割之后，多个粒状生胚不会掉落，使其暂时成为一个整体)，然后进行生胚切割，切割之后，人工手动在生胚和发泡胶膜上面涂覆生粉(为了便于后续粒状生胚分开、脱胶)，再加热发泡胶膜(烘烤)，使发泡胶膜能够和粒状生胚分离，然后人工将粒
4、但是，这种方式中，需要人工涂抹生粉，人工下料，操作人员劳动强度比较高，效率也比较堵，同时，需要加热工序(烘烤)，加热的过程中，会造成已经切割的部分相邻的粒状生胚粘接在一起，即造成产品连体，从而影响产品的良品率，也造成损失。
技术实现思路
1、本专利技术目的是提供一种mlcc切割方法，通过使用该方法，能够提高了生产效率，也提高了良品率。
2、为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种mlcc切割方法，其步骤为：
3、①贴uv胶膜：将未切割的整块mlcc生胚的底面贴覆uv胶膜，uv胶膜的至少一侧设置在整块mlcc生胚的边缘外部；
4、②生胚切割：将贴覆有uv胶膜的整块mlcc生胚进行切割，将其切割为多个预定尺寸的粒状mlcc生胚产品，且mlcc生胚产品粘接在uv胶膜上；
5、③uv光照解粘：将步骤②中切割好的粒状mlcc生胚产品底部的uv胶膜进行uv光照，使粒状生胚产品与uv胶膜之间的粘合力下降；
6、④剥离：将步骤③中已经解粘的粒状mlcc生胚产品以及uv胶膜放到剥离机构上，通过剥离机构将粒状mlcc生胚产品从uv胶膜上面剥离。
7、上述技术方案中，所述剥离机构包括第一剥离刀、第二剥离刀、压辊及下压导杆，所述第二剥离刀的刀口靠近所述第一剥离刀的刀口设置，所述第一剥离刀的刀口与所述第二剥离刀的刀口之间设有剥离间距；
8、所述压辊转动设置于所述剥离间距的正下方，且所述压辊的另一侧设置于所述第二剥离刀的刀口下方；
9、所述下压导杆竖向移动设置于所述压辊的正上方，所述下压导杆朝下移动时，靠近所述压辊的顶面设置，或下压导杆的底面抵于所述压辊的顶面上；
10、所述下压导杆朝上移动时，所述下压导杆的底部设置于所述剥离间距的正上方。
11、上述技术方案中，所述步骤④中，包括：
12、a.将uv胶膜的底部放在第二剥离刀的顶面上，粒状mlcc生胚产品粘接在uv胶膜顶部的粘接面上，且处在粒状mlcc生胚产品外部的uv胶膜处在剥离间距的正上方；
13、b.下压导杆下压，将外露的uv胶膜下压，使得外露的uv胶膜送入到剥离间距内，然后压辊朝向第二剥离刀的底面方向移动，使外露的uv胶膜被送入至压辊与第二剥离刀之间；
14、c.第一剥离刀的刀口正对着uv胶膜与粒状mlcc生胚产品的连接处，压辊的顶面则朝向第二剥离刀的方向转动，会同时带动uv胶膜以及uv胶膜上面的粒状mlcc生胚产品朝向第一剥离刀方向移动，粒状mlcc生胚产品则会被第一剥离刀的刀口剥离，使粒状mlcc生胚产品被送入到第一剥离刀的顶面上，实现粒状mlcc生胚产品从uv胶膜上剥离。
15、上述技术方案中，所述第二剥离刀设置于所述第一剥离刀的左侧，所述第一剥离刀的顶面由左向右倾斜向下设置；
16、所述第一剥离刀的刀口设置于所述第一剥离刀的左端，所述第二剥离刀的刀口设置于所述第二剥离刀的右端。
17、上述技术方案中，所述第一剥离刀的左端为尖端，所述尖端构成所述第一剥离刀的刀口；所述第二剥离刀的右端为尖端，所述尖端构成所述第二剥离刀的刀口。
18、上述技术方案中，所述步骤b中，外露的uv胶膜被送入至压辊与第二剥离刀之间之后，下压导杆朝上移动，使下压导杆的底面移动于剥离间距的上方。
19、上述技术方案中，所述第二剥离刀的刀口的顶面与底面之间的夹角为15°～60°。
20、上述技术方案中，整块mlcc生胚的底面贴覆在uv胶膜顶部的粘接面上；
21、所述步骤③中，利用uv灯对uv胶膜的底面进行uv光照，光照时长为0.5s～3s。
22、上述技术方案中，利用uv灯对uv胶膜进行uv光照，所述uv灯的紫外光峰值波长为360nm～370nm；
23、和/或，所述步骤④完成之后，再将粒状mlcc生胚产品进行筛料，使相互接触的多个粒状mlcc生胚产品分开。
24、上述技术方案中，在对uv胶膜进行uv光照的时候，将uv胶膜顶部的粘接面进行固化，降低uv胶膜顶部粘接面的粘性。
25、由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
26、1.本专利技术中采用uv胶膜和生胚进行粘接，后续利用uv光照即可将uv胶膜的粘胶层进行解胶，并利用剥离机构将生胚从uv胶膜上面快速的自动剥离，与以往采用发泡胶膜的方式相比，不需要采用加热工序，改善产品连体的损伤，提高产品良品率，降低成本，同时，自动剥离下料，能够提高下料效率，降低操作人员劳动强度。
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1.一种MLCC切割方法，其步骤为：
2.根据权利要求1所述的MLCC切割方法，其特征在于：所述剥离机构包括第一剥离刀、第二剥离刀、压辊及下压导杆，所述第二剥离刀的刀口靠近所述第一剥离刀的刀口设置，所述第一剥离刀的刀口与所述第二剥离刀的刀口之间设有剥离间距；
3.根据权利要求2所述的MLCC切割方法，其特征在于：所述步骤④中，包括：
4.根据权利要求2所述的MLCC切割方法，其特征在于：所述第二剥离刀设置于所述第一剥离刀的左侧，所述第一剥离刀的顶面由左向右倾斜向下设置；
5.根据权利要求4所述的MLCC切割方法，其特征在于：所述第一剥离刀的左端为尖端，所述尖端构成所述第一剥离刀的刀口；所述第二剥离刀的右端为尖端，所述尖端构成所述第二剥离刀的刀口。
6.根据权利要求2所述的MLCC切割方法，其特征在于：所述步骤b中，外露的UV胶膜被送入至压辊与第二剥离刀之间之后，下压导杆朝上移动，使下压导杆的底面移动于剥离间距的上方。
7.根据权利要求2或5所述的MLCC切割方法，其特征在于：所述第二剥离刀的刀口的顶面与底面之
8.根据权利要求1所述的MLCC切割方法，其特征在于：整块MLCC生胚的底面贴覆在UV胶膜顶部的粘接面上；
9.根据权利要求1所述的MLCC切割方法，其特征在于：利用UV灯对UV胶膜进行UV光照，所述UV灯的紫外光峰值波长为360nm～370nm；
10.根据权利要求1所述的MLCC切割方法，其特征在于：在对UV胶膜进行UV光照的时候，将UV胶膜顶部的粘接面进行固化，降低UV胶膜顶部粘接面的粘性。
...【技术特征摘要】
1.一种mlcc切割方法，其步骤为：
2.根据权利要求1所述的mlcc切割方法，其特征在于：所述剥离机构包括第一剥离刀、第二剥离刀、压辊及下压导杆，所述第二剥离刀的刀口靠近所述第一剥离刀的刀口设置，所述第一剥离刀的刀口与所述第二剥离刀的刀口之间设有剥离间距；
3.根据权利要求2所述的mlcc切割方法，其特征在于：所述步骤④中，包括：
4.根据权利要求2所述的mlcc切割方法，其特征在于：所述第二剥离刀设置于所述第一剥离刀的左侧，所述第一剥离刀的顶面由左向右倾斜向下设置；
5.根据权利要求4所述的mlcc切割方法，其特征在于：所述第一剥离刀的左端为尖端，所述尖端构成所述第一剥离刀的刀口；所述第二剥离刀的右端为尖端，所述尖端构成所述第二剥离刀的刀口。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：许国治，吴卫和，王树生，蔡银，许煌，陈家齐，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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