一种晶圆级临时键合与解键合的方法及结构技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级临时键合与解键合的方法及结构，属于电子封装技术领域；通过在器件晶圆正面依次制作TSV掩膜层、金属层、正面种子层、正面RDL层、正面PI层、正面UBM层和粘附层；将正面工艺制作完成的器件晶圆与临时键合载体进行键合；对键合后的器件晶圆背面依次制作背面种子层、背面RDL层、背面PI层、背面UBM层；最后采用激光束将器件晶圆与临时键合载体分解。本发明专利技术通过在衬底上生长一层GaN材料作为临时键合的载体，器件晶圆与临时键合载体键合后，进行背面减薄、光刻、刻蚀、电镀、化镀等多步工艺，工艺完成后，用激光束将GaN材料与载体实现分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子封装，涉及一种晶圆级临时键合与解键合的方法及结构。

技术介绍

1、随着先进封装技术的发展，对各种元器件集成度和功能的要求也越来越高，研究的方向逐渐转向如何实现更高密度的封装。高密度封装体的主要特点是通过将晶圆和晶圆(wafer to wafer)或芯片和晶圆(chip to wafer)进行层层堆叠，以能提高芯片或者相应电子器件的集成度。也就要求层层堆叠的薄型化，无论2.5d集成还是3d集成，在整个集成过程中，最关心也最担忧的还是集中在薄晶圆拿持技术的可靠性，以及利用该技术进行后续背面工艺研究的可行性。对于超薄器件的封装晶圆，由于其机械强度的降低以及翘曲度或弯曲度的增加，普通的半导体设备几乎难以完成支撑和传输动作，碎片率极高。为了解决这种薄晶圆的支撑和传输问题，业界通常采用临时键合与解键合技术。

2、目前，普遍使用的临时键合技术是载片与器件晶圆通过中间胶层键合在一起。这种中间胶层一般有两层，分别是粘结层和解键合层，作用主要是粘接和解离；当受到机械力、化学物质、紫外线(uv)光、热或激光能量作用时，可以促使器件晶圆与载体分离。且本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述晶圆的表面材质为无机介质材料、有机材料、金属材料或金属合金材料中的一种或多种复合材料。

4.根据权利要求2所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述步骤1.1、步骤1.4、步骤1.5、步骤1.6和步骤1.7中的涂覆方式为旋涂或喷涂中的一种或两种方法相结合的喷涂方式。

5.根据权利要求2所述的...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述晶圆的表面材质为无机介质材料、有机材料、金属材料或金属合金材料中的一种或多种复合材料。

4.根据权利要求2所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述步骤1.1、步骤1.4、步骤1.5、步骤1.6和步骤1.7中的涂覆方式为旋涂或喷涂中的一种或两种方法相结合的喷涂方式。

5.根据权利要求2所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述步骤1.2中进行孔内金属填充的材料为导电材料。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆级临时键合与解键合的方法，其特征在于，所述步骤2中的临时键合载体包括生长有gan系材料的蓝宝石衬底或生长有gan系材料的玻璃载片；所述gan系材料与玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐磊，霍瑞霞，陈雷达，姚华，
申请(专利权)人：珠海天成先进半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：