【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子封装,具体涉及一种高密度2.5d转接板结构及其制备方法。
技术介绍
1、现有的2d封装技术主要是将单个芯片封装在一个封装基板上,然后通过线路连接到其他组件或外部器件。然而,随着芯片的复杂性和集成度不断提高,传统的2d封装技术已经不能满足现代电子产品对更高性能、更小封装体积和更低功耗的需求。因此,为了满足市场对更高性能、更小封装体积、更低功耗和更高可靠性的需求,2.5d先进封装技术应运而生。它通过在一个新型封装基板上堆叠多个芯片和其他组件,实现了更高的集成度和性能。与传统的2d封装技术相比,2.5d封装技术具有以下优势:
2、更高的集成度:通过将多个芯片堆叠在一个封装基板上,2.5d封装技术实现了更高的集成度,可以在更小的封装体积内实现更多的功能和性能;更低的功耗:2.5d封装技术可以将不同功能的芯片集成在一起,减少了芯片之间的通信距离和功耗,从而实现了更低的功耗;更高的性能:通过转接板进行芯片之间的连接,2.5d封装技术可以实现更高速的通信和更快的数据传输速度,从而实现了更高的性能;总的来说,2.5d封装
...【技术保护点】
1.一种高密度2.5D转接板结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的高密度2.5D转接板结构的制备方法,其特征在于,在所述涂覆有第一光敏树脂胶(30)的第一基体(10)上金属化形成第一凸台(41)的过程为:
3.根据权利要求1所述的高密度2.5D转接板结构的制备方法,其特征在于,在形成所述第一凸台(41)后,采用刻蚀设备将多余的第一种子层(21)。
4.根据权利要求1所述的高密度2.5D转接板结构的制备方法,其特征在于,所述在涂覆有第一光敏树脂胶(30)的第一基体(10)上形成TSV盲孔和TSV结构(43
...【技术特征摘要】
1.一种高密度2.5d转接板结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法,其特征在于,在所述涂覆有第一光敏树脂胶(30)的第一基体(10)上金属化形成第一凸台(41)的过程为:
3.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法,其特征在于,在形成所述第一凸台(41)后,采用刻蚀设备将多余的第一种子层(21)。
4.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法,其特征在于,所述在涂覆有第一光敏树脂胶(30)的第一基体(10)上形成tsv盲孔和tsv结构(43)的过程为:
5.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法,其特征在于,基于底部填充系统在第二基体(60)进行填充,并固化形成第...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈雷达,武洋,姚华,何亨洋,
申请(专利权)人:珠海天成先进半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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