本发明提供一种Sn‑Ag‑Cu钎料凸点互连芯片及其制备方法和应用，该方法包括在第一键合片的第一铜柱结构上依次沉积纳米孪晶Ni层和择优取向纳米孪晶Cu层；在择优取向纳米孪晶Cu层表面沉积Sn‑Ag钎料凸点；对完成上述步骤的第一键合片进行一...

本发明公开一种择优取向的全金属间化合物互连芯片及其制备方法和应用，包括在第一基体上制备择优取向的第一凸点下金属化层，在第二基体上制备择优取向的第二凸点下金属化层；在第一凸点下金属化层上制备无铅钎料微凸点；将无铅钎料微凸点和所述第二凸点下...

本发明公开了一种可控胶塌陷和边缘溢胶的高精度临时键合结构及制备方法，属于先进电子封装技术领域。高精度临时键合结构包括键合片、临时载片、对准块、对准环、贯穿通道以及临时键合胶；所述键合片以及临时载片两者之一作为设置临时键合胶的衬底，另一衬...

本发明公开了一种基于晶圆重构的多类芯片减薄方法，属于集成电路封装与晶圆减薄技术领域。包括以下步骤：对照待减薄目标芯片的初始厚度，对承载晶圆进行第一次减薄加工，获得减薄承载晶圆；将减薄承载晶圆进行预处理后对照待减薄目标芯片的形状和尺寸切割...

本发明公开了一种晶圆级临时键合与解键合的方法及结构，属于电子封装技术领域；通过在器件晶圆正面依次制作TSV掩膜层、金属层、正面种子层、正面RDL层、正面PI层、正面UBM层和粘附层；将正面工艺制作完成的器件晶圆与临时键合载体进行键合；对...

本发明公开了一种深孔电镀的预处理方法，属于电子封装技术领域；先通过兆声波采用清洗溶液对具有TSV深孔的基片进行清洗；再采用高速旋转的方式将清洗后TSV深孔内的残留物甩出；最后通过兆声波采用慢速旋转至静置的方式将纯水在TSV深孔内布满。通...

本发明公开了一种CCGA器件焊柱端面磨平装置及方法，属于微电子封装技术领域；装置包括支架、底座平台和固定器件升降头；所述支架包括竖直设置的支臂结构和水平设置的左右运动轨道；所述支臂结构下端与所述底座平台连接；所述底座平台上依次设置有磨平...

本发明公开一种硅通孔晶圆表面铜层的抛光方法以及基于该抛光方法的一种抛光面铜后硅通孔晶圆，该方法包括将光刻胶涂覆至晶圆表面，并利用光刻技术保护硅通孔上方铜层；利用湿法刻蚀的方法去除暴露的铜层；去除硅通孔上方的光刻胶，最后利用化学机械抛光工...