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本发明提供一种高密度2.5D转接板结构及其制备方法,在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上金属化形成第一凸台;在具有第一凸台的第一基体的一侧键合第二基体,将第一基体的另一侧减薄并涂覆第一光敏树脂胶,在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上形成TSV盲...该专利属于珠海天成先进半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海天成先进半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种高密度2.5D转接板结构及其制备方法,在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上金属化形成第一凸台;在具有第一凸台的第一基体的一侧键合第二基体,将第一基体的另一侧减薄并涂覆第一光敏树脂胶,在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上形成TSV盲...