【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子封装，具体涉及一种异质异构3d转接板结构及其制备方法。
技术介绍
1、3d封装技术对于电子产品的发展具有深远的影响，它不仅推动了产品性能的显著提升，还促进了产品形态的革新。通过垂直堆叠芯片，3d封装技术显著缩短了信号传输路径，减少了rc延迟和功耗，同时提升了数据处理速度，这对于追求轻薄、高性能的移动设备、高性能计算和人工智能等领域尤为重要。这种封装方式还允许使用成熟工艺制造的小芯片（chiplet），然后通过3d封装技术集成在一起，避免了整个大芯片都采用昂贵的先进工艺生产，从而降低了生产成本。同时，由于减少了芯片之间的连接线路，也有助于降低制造成本。3d封装技术的结构设计还允许在一个封装体内集成各种功能器件和多种材料，如rf器件、存储器、逻辑器件、mems等，实现了异质集成，为电子产品的功能扩展和定制提供了灵活性，满足了多样化的市场需求。随着电子产品对性能和集成度的要求不断提高，，3d封装技术的结构设计是实现电子产品高性能、高集成度、低成本和高可靠性的关键，它将继续在电子行业中扮演着至关重要的角色，推动电子产品向更先
【技术保护点】
1.一种异质异构3D转接板结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异质异构3D转接板结构的制备方法，其特征在于，基体（10）材料为硅或者玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种异质异构3D转接板结构的制备方法，其特征在于，S1中，在基体（10）上利用激光方法或者光刻图形后刻蚀的方法制备一层盲孔。
4.根据权利要求1所述的一种异质异构3D转接板结构的制备方法，其特征在于， S3中，通过刻蚀或者激光的方法，在芯片划片道区域内加工出槽图形。
5.根据权利要求1所述的一种异质异构3D转接板结构的制备方...
【技术特征摘要】
1.一种异质异构3d转接板结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异质异构3d转接板结构的制备方法，其特征在于，基体（10）材料为硅或者玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种异质异构3d转接板结构的制备方法，其特征在于，s1中，在基体（10）上利用激光方法或者光刻图形后刻蚀的方法制备一层盲孔。
4.根据权利要求1所述的一种异质异构3d转接板结构的制备方法，其特征在于， s3中，通过刻蚀或者激光的方法，在芯片划片道区域内加工出槽图形。
5.根据权利要求1所述的一种异质异构3d转接板结构的制备方法，其特征在于，s4中，利用磁控溅射或物理气象沉积的方法在基体（10）的正面制备第一导电层（30），槽图形中被第一导电层（30）覆盖；
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡佳伟，武洋，陈雷达，
申请(专利权)人：珠海天成先进半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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