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本发明公开了一种晶圆级临时键合与解键合的方法及结构，属于电子封装技术领域；通过在器件晶圆正面依次制作TSV掩膜层、金属层、正面种子层、正面RDL层、正面PI层、正面UBM层和粘附层；将正面工艺制作完成的器件晶圆与临时键合载体进行键合；对键合...
该专利属于珠海天成先进半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海天成先进半导体科技有限公司授权不得商用。

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