一种新型耐高压厚膜电阻制造方法技术

本发明专利技术公开了一种新型耐高压厚膜电阻制造方法，其步骤为：

【技术实现步骤摘要】
一种新型耐高压厚膜电阻制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电阻生产加工领域，尤其涉及一种新型耐高压厚膜电阻制造方法。

技术介绍

[0002]常规厚膜电阻的电阻图形一般为“方形”，易于印刷作业且工艺成熟。随著市场上对厚膜电阻的耐电压能力要求越来越高，常规厚膜电阻难以达成。为了提高厚膜电阻耐电压能力，回归到最原始的描述电势差与电场强度关系的物理公式“U＝∫EdS”，其中U是耐电压能力，E是电阻浆料的击穿电场强度，S为电场方向上累计的长度。E由电阻浆料材料本身决定，与各大浆料厂商的制程能力有关，但短期内很难有质的提升。S由电阻图形决定，对于“方形电阻”其S就是端子之间的距离，这很好解释了电阻型别越大其耐电压能力越强。对于特定型别，为了提高耐电压能力只能拉长“S”,故业内的耐高压电阻普遍采用“S”形电阻图形设计，如图1所示(以0603为例),中间部分为电阻层101，两端则为电极102。但这种“S”形设计的印刷难度高，电阻带宽度明显变窄，印刷过程中的粉尘或异物容易导致塞网的风险。
[0003]尤其对于小型别(如0603)，由于电阻设计的空间有限，而且由于印刷工艺本身的限制电阻带没法进一步变窄，通过“S”形设计来增加电流路劲长度从而提高耐电压能力的方法更是遇到了瓶颈，生产难度高，合格率低，成本居高不下，耐高压能力难以继续提升。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的是提供一种新型耐高压厚膜电阻制造方法，通过使用该方法，能够有效的降低生产难度，还能够提高合格率，降低成本，同时还能够进一步提高产品的耐高压能力，提高产品的性能。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种新型耐高压厚膜电阻制造方法，其步骤为：
[0006]①
在基板的底面印刷制作背面电极，然后在基板的顶面印刷正面电极，再进行烧结固化，使背面电极以及正面电极固化在基板上；
[0007]②
在基板的顶面进行方形电阻层的印刷；
[0008]③
对电阻层进行切线，将切线处的电阻层去除；
[0009]④
再将电阻层进行烧结固化；
[0010]⑤
在电阻层上面进行保护层的印刷及固化；
[0011]⑥
再将上述基板折成条状半成品，并在条状半成品的两侧进行镀膜，镀膜完成之后折成粒状半成品；
[0012]⑦
粒状半成品设置有真空镀膜层的两端头进行电镀制成端子，完成耐高压厚膜电阻的制作。
[0013]上述技术方案中，所述步骤
⑤
中，包括以下步骤：
[0014]a、在电阻层上面进行第一保护层的印刷，第一保护层印刷完成之后，进行烧结固
化；
[0015]b、对每一电阻层进行镭切，并通过镭射激光调阻机对电阻层进行切割调阻；
[0016]c、在第一保护层上面印刷第二保护层，然后在第二保护层的两侧外部，以及每组正面电极上方印刷辅助电极层；
[0017]d、然后在第二保护层外部进行字码印刷，再进行固化，使第二保护层、辅助电极层以及字码进行固化。
[0018]上述技术方案中，所述步骤
③
中，每一电阻层上分别具有两组切线，两组切线间隔设置，且两组切线分别处在电阻层的两侧。
[0019]上述技术方案中，两组所述切线设置于两组端子之间，每一组切线分别靠近一组端子设置，两道所述切线使所述耐高压厚膜电阻的电阻层呈S型结构。
[0020]上述技术方案中，所述步骤
⑥
中，镭切时，镭切位处在一组切线与电阻层的端头之间，且镭切位设置在旁侧所述切线的相对侧。
[0021]上述技术方案中，所述步骤
③
中，电阻层印刷完成之后，电阻层处在湿膜状态，再通过激光对电阻层设定的切线位置进行小功率镭射划线，去除切线处的电阻层，并使切线处的基层外露。
[0022]上述技术方案中，所述正面电极、背面电极以及电阻层采用850℃进行烧结固化；所述第一保护层采用620℃进行烧结固化；所述第二保护层、辅助电极层及字码采用200℃进行烧结固化。
[0023]上述技术方案中，所述电阻层上的切线至少为两组，多组所述切线间隔设置于两端的端子之间，相邻所述切线间隔设置，且相邻所述切线分别设置于所述电阻层的两侧。
[0024]由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
[0025]1.本专利技术中在电阻层印刷完成之后，在电阻层处在湿膜状态下，利用激光设备对设定的切线处进行镭射划线，去除切线处的电阻层，使得电阻层呈S型结构，然后再进行烧结固化，这样能够实现高质量、高精度的S型的电阻层印刷，能够有效的降低生产难度，提高产品合格率，降低成本；
[0026]2.本专利技术中电阻层在湿膜状态下就进行切线，这样电阻层与基本的结合不够紧密，镭射切割的时候用较小的功率即可将切线处的电阻层切除干净，并且不会对电阻层产生热破坏，能够有效的保证电阻生产的合格率，尽可能的降低生产成本；
[0027]3.本专利技术中电阻层为一个S型结构，这样电流只能够在剩余的电阻带中导通，达成电流路径加长的效果，能够有效增加电流的有效路径，同时易于印刷，还能够保证电阻带的宽度，提高耐高压性能，提高电阻的性能，使得电阻性能得到突破；
[0028]4.本专利技术中能够在湿膜状态下将电阻层切除，能够灵活自主地的设计电阻图形，不受印刷工艺的限制，能够提高电流的有效路径，提高耐高压效果。
附图说明
[0029]图1是
技术介绍
中的结构示意图；
[0030]图2是本专利技术中对比例一中电阻层处的结构示意图(电阻层采用S型的印刷方式)；
[0031]图3是本专利技术实施例一中电阻层处的结构示意图(电阻层采用方形印刷再进行切线处理方式)；
[0032]图4是本专利技术实施例一中电流的流动路径结构示意图；
[0033]图5是本专利技术实施例一中耐高压厚膜电阻的剖视结构示意图。
[0034]其中：1、切线；2、镭切位；3、基板；4、背面电极；5、正面电极；6、电阻层；7、第一保护层；8、第二保护层；9、侧部端子；10、真空镀膜层；11、电镀层；12、辅助电极层；101、电阻层；102、电极；
具体实施方式
[0035]下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述：
[0036]实施例一：参见图2～5所示，一种新型耐高压厚膜电阻制造方法，其步骤为：
[0037]①
在基板的底面印刷制作背面电极，然后在基板的顶面印刷正面电极，再进行烧结固化，使背面电极以及正面电极固化在基板上；
[0038]②
在基板的顶面进行方形电阻层的印刷；
[0039]③
对电阻层进行切线1，并将切线处的电阻层去除；
[0040]④
再将电阻层进行烧结固化；
[0041]⑤
在电阻层上面进行保护层的印刷及固化；
[0042]⑥
再将上述基板折成条状半成品，并在条状半成品的两侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型耐高压厚膜电阻制造方法，其步骤为：
①
在基板的底面印刷制作背面电极，然后在基板的顶面印刷正面电极，再进行烧结固化，使背面电极以及正面电极固化在基板上；
②
在基板的顶面进行方形电阻层的印刷；
③
对电阻层进行切线，将切线处的电阻层去除；
④
再将电阻层进行烧结固化；
⑤
在电阻层上面进行保护层的印刷及固化；
⑥
再将上述基板折成条状半成品，并在条状半成品的两侧进行镀膜，镀膜完成之后折成粒状半成品；
⑦
粒状半成品设置有真空镀膜层的两端头进行电镀制成端子，完成耐高压厚膜电阻的制作。2.根据权利要求1所述的新型耐高压厚膜电阻制造方法，其特征在于：所述步骤
⑤
中，包括以下步骤：a、在电阻层上面进行第一保护层的印刷，第一保护层印刷完成之后，进行烧结固化；b、对每一电阻层进行镭切，并通过镭射激光调阻机对电阻层进行切割调阻；c、在第一保护层上面印刷第二保护层，然后在第二保护层的两侧外部，以及每组正面电极上方印刷辅助电极层；d、然后在第二保护层外部进行字码印刷，再进行固化，使第二保护层、辅助电极层以及字码进行固化。3.根据权利要求1所述的新型耐高压厚膜电阻制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛树成，蔡东谋，葛炜，胡新明，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：