【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、光刻胶是半导体结构制造工业中进行光刻过程的关键功能材料。光刻胶经紫外光照射后，发生一系列化学反应，使得曝光前后光刻胶在显影液中的溶解速率产生变化，再经过显影、坚膜、蚀刻和去膜等过程就能够将特定的高精度图形转移到待加工半导体结构的基板表面。
2、但是，形成光刻胶的制程仍有待改善，从而影响半导体结构的性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，优化了半导体结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底的表面具有亲水基团；对基底的表面进行改性处理，使基底表面的部分亲水基团转变为疏水基团；对改性处理后的基底表面进行增粘处理，在基底表面生成增粘物质；在增粘处理后的基底上形成光刻胶层。
3、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
4、本专利技术实施例提供的半...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述基底的表面进行改性处理的工艺包括湿法清洗工艺。
3.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺的清洗溶液包括氢氟酸和水的混合溶液。
4.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺的参数包括：清洗时间为2秒至3秒；工艺温度为20摄氏度至30摄氏度；氢氟酸和水的混合溶液中，氢氟酸和水的浓度比为1：120至1：50。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述基底的表面进行改性处理的工艺包括湿法清洗工艺。
3.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺的清洗溶液包括氢氟酸和水的混合溶液。
4.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺的参数包括：清洗时间为2秒至3秒；工艺温度为20摄氏度至30摄氏度；氢氟酸和水的混合溶液中，氢氟酸和水的浓度比为1：120至1：50。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述亲水基团包括羟基和水分子中的一种或两种。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述疏水基团包括烃基、氢氟酸或盐酸中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑磊，姜东旭，王盼盼，刘超，陆韵峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，
类型：发明
国别省市：
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