芯片的分离方法以及晶圆技术

本发明专利技术涉及一种芯片的分离方法以及晶圆，芯片的分离方法包括：提供阵列基体，阵列基体包括底板以及多个具有孔道的芯片单元，多个芯片单元间隔分布于底板；在阵列基体上沉积预定厚度的固相介质，并使得固相介质填充于孔道；在阵列基体上键合盖板，盖板覆盖芯片单元，以形成晶圆；切割晶圆并形成多个切割体，每个切割体包括芯片单元；去除切割体的上固相介质，以成型具有孔道的芯片。本发明专利技术实施例提供的芯片的分离方法以及晶圆，芯片的分离方法能够满足芯片的切割成型要求，同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内，保证芯片的性能。

Chip separation method and wafer

【技术实现步骤摘要】
芯片的分离方法以及晶圆
本专利技术涉及芯片
，特别是涉及一种芯片的分离方法以及晶圆。
技术介绍
芯片如微流控芯片由于体积小、成本低、便于携带、分析速度快、分析所需样品少等特点在生命科学、医学、食品和环境卫生检查等领域得到了广泛应用。其中，硅基的微流控芯片由于生产工艺与集成电路相似，利用成熟的集成电路生产工艺很容易实现微流控芯片的大规模批量化生产，生产效率高，但也存在相应的弊端，主要表现为批量化生产的芯片在划片时，切割刀片在高转速下容易使得晶圆产生碎屑，在切割过程中，冷却液通过切割刀片带动进入切割部位进行冷却并移除切割时产生的碎屑，而由于芯片的孔道处于开放状态，不可避免的冷却液会带着碎屑进入到微流控芯片的孔道内，影响芯片的性能。因此，亟需一种新的芯片的分离方法以及晶圆。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种芯片的分离方法以及晶圆，芯片的分离方法能够满足芯片的分离成型要求，同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内，保证芯片的性能。一方面，根据本专利技术实施例提出了一种芯片的分离方法，包括：提供阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的分离方法，其特征在于，包括：/n提供阵列基体，所述阵列基体包括底板以及多个具有孔道的芯片单元，多个所述芯片单元间隔分布于所述底板；/n在所述阵列基体上沉积预定厚度的固相介质，并使得所述固相介质填充于所述孔道；/n在所述阵列基体上键合盖板，所述盖板覆盖所述芯片单元，以形成晶圆；/n切割所述晶圆并形成多个切割体，每个所述切割体包括所述芯片单元；/n去除所述切割体上的所述固相介质，以成型具有所述孔道的芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片的分离方法，其特征在于，包括：
提供阵列基体，所述阵列基体包括底板以及多个具有孔道的芯片单元，多个所述芯片单元间隔分布于所述底板；
在所述阵列基体上沉积预定厚度的固相介质，并使得所述固相介质填充于所述孔道；
在所述阵列基体上键合盖板，所述盖板覆盖所述芯片单元，以形成晶圆；
切割所述晶圆并形成多个切割体，每个所述切割体包括所述芯片单元；
去除所述切割体上的所述固相介质，以成型具有所述孔道的芯片。


2.根据权利要求1所述的芯片的分离方法，其特征在于，所述去除所述切割体上的所述固相介质，以成型具有所述孔道的芯片的步骤具体包括：
提供所述固相介质用腐蚀液；
将所述切割体置于所述腐蚀液中预定时间，通过所述腐蚀液作用于所述固相介质并使得所述固相介质与所述孔道分离，以成型具有所述孔道的所述芯片。


3.根据权利要求2所述的芯片的分离方法，其特征在于，所述去除所述切割体上的所述固相介质，以成型具有所述孔道的芯片的步骤还包括：
加热所述腐蚀液，和/或，使所述切割体相对所述腐蚀液振动。


4.根据权利要求2所述的芯片的分离方法，其特征在于，所述底板由硅片制成；
所述盖板由硅片制成，所述固相介质为金，所述腐蚀液包括碘和碘化钾，或者，所述固相介质为铝，所述腐蚀液包括磷酸、硝酸以及醋酸的混合溶液。


5.根据权利要求2所述的芯片的分离...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂泳忠，刘晓敏，林祖鉴，叶新文，许财源，
申请(专利权)人：西人马联合测控泉州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35