【技术实现步骤摘要】
一种防御二次静电放电的实现方法,电路板及设备
本专利技术涉及电路板领域,尤其涉及一种防御二次静电放电的实现方法,电路板及设备。
技术介绍
二次静电放电(SecondaryElectrostaticDischarge)是一种特殊的静电放电形式,当带电人体接触到电子产品时,除了人体对电子产品的一次放电外,一次放电会对电子产品金属部件间的间隙快速充电,当间隙电压远超过静态击穿电压时,会形成强烈的二次放电现象。二次放电一般发生在电子产品内部,从内部干扰和损伤电子产品,而且受环境的影响更剧烈,产生的电磁危害更强,物理机制也更复杂。由于其特殊性与复杂性,直接套用传统的静电放电理论与经验模型有很大的局限性,二次静电的防护是静电防护领域的一个难点。目前电子产品只有一次静电(ESD)的防护设计,对ESD的防护最常见的方法就是:使用ESD保护器件,常用的防静电元器件是TVS(TransientVoltageSuppressor)瞬态电压抑制器,与常见的用于整流的肖特基二极管不同,它的特点是当两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以纳 ...
【技术保护点】
1.一种防御二次静电放电的实现方法,其特征在于,方法包括:/nS1,量测二次静电波形;/nS2,根据量测的二次静电波形,计算二次静电的带宽;/nS3,依据二次静电的带宽小于截止频率,配置π型滤波电路,选取电路板的过孔参数;/nS4,在芯片下方电路板的预设层配置接地环;/nS5,在接地环上设有预设数量的过孔;/nS6,将芯片配置到接地环内,芯片的接地引脚与接地环连接;/nS7,芯片的信号线通过所述接地环所在层的下方信号层穿出所述接地环。/n
【技术特征摘要】
1.一种防御二次静电放电的实现方法,其特征在于,方法包括:
S1,量测二次静电波形;
S2,根据量测的二次静电波形,计算二次静电的带宽;
S3,依据二次静电的带宽小于截止频率,配置π型滤波电路,选取电路板的过孔参数;
S4,在芯片下方电路板的预设层配置接地环;
S5,在接地环上设有预设数量的过孔;
S6,将芯片配置到接地环内,芯片的接地引脚与接地环连接;
S7,芯片的信号线通过所述接地环所在层的下方信号层穿出所述接地环。
2.根据权利要求1所述的实现方法,其特征在于,
步骤S3还包括:
截止频率的计算方式为:
R为滤波电路的终端匹配电阻;
L为滤波电路电感,C为滤波电容。
3.根据权利要求2所述的实现方法,其特征在于,
滤波电容的计算方式为:
ε为PCB板材的介电常数,过孔焊盘直径为d1,过孔直径为d2;
滤波电路电感的感值为
L=2*10-7h[ln(4h...
【专利技术属性】
技术研发人员:党杰,
申请(专利权)人:苏州浪潮智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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