湿法刻蚀与清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种湿法刻蚀与清洗装置，包括：液体供应管路和排气泡管路，所述液体供应管路包括两个支路，两个所述支路均沿预设方向设置且分别位于所述晶圆夹具的两侧，两个所述支路的一侧连通，所述液体供应管路位于同一水平面，如此一来，所述液体供应管路的两个支路压力对等，工艺槽两侧的液体流量相同，从而使晶圆两侧的刻蚀量趋于相同，提高晶圆表面刻蚀一致性。所述排气泡管路与所述液体供应管路连通，所述排气泡管路置于所述内槽外部，所述排气泡管路具有向上的开口，如此一来，所述液体供应管路中的气泡通过所述排气泡管路排出，避免在内槽内部气泡随液体喷射后附着在晶圆表面，解决晶圆表面部分刻蚀和颗粒物残留的问题。

Wet etching and cleaning device

【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀与清洗装置
本技术属于集成电路制造
，具体涉及一种湿法刻蚀与清洗装置。
技术介绍
随着特征尺寸的持续缩小，集成电路制造工艺中对晶圆的刻蚀与清洗要求越来越苛刻。晶圆刻蚀与清洗成为集成电路制造工艺中非常重要的工序。在半导体生产工艺中，湿法工艺常采用化学试剂(例如酸碱溶液)对晶圆进行刻蚀，去离子水对晶圆进行清洗，刻蚀与清洗均在工艺槽中进行，通过液体(化学试剂或去离子水)冲洗和浸泡达到晶圆膜层刻蚀和颗粒去除的效果。用来冲洗和浸泡的液体通过液体供应管路上的小孔喷向晶圆，当液体停止供应时，因小孔存在使管路中存在空气，再次开启液体阀门供应液体时，会有较多的气泡随液体喷射后附着在晶圆表面，影响晶圆的刻蚀和颗粒的去除，从而导致晶圆表面部分刻蚀或残留颗粒物。另外，由于液体供应管路不完全对称或老化变形等情况，工艺槽左右两侧的液体压力有可能出现不完全相同的情况，导致左右两侧的液体流量差异，形成晶圆表面的一侧刻蚀多于另一侧，导致晶圆表面刻蚀不均匀，
技术实现思路
本技术提供一种湿法刻蚀与清洗装置，一个目的在于有效排除气泡，解决晶圆表面部分刻蚀或残留颗粒物问题。另一个目的在于使晶圆两侧的刻蚀量趋于相同，提高晶圆表面刻蚀一致性。本技术提供一种湿法刻蚀与清洗装置，包括：一种湿法刻蚀与清洗装置，包括工艺槽，所述工艺槽包括外槽和置于所述外槽中的内槽，所述内槽内部沿预设方向并行设置有多个用于固定晶圆的晶圆夹具，所述湿法刻蚀与清洗装置还包括：液体供应管路和排气泡管路，所述液体供应管路包括两个支路，两个所述支路均沿所述预设方向设置且分别位于所述晶圆夹具的两侧，两个所述支路的一侧连通，两个所述支路上均间隔分布有小孔；所述液体供应管路位于同一水平面；所述排气泡管路与所述液体供应管路连通，所述排气泡管路置于所述内槽外部，所述排气泡管路具有向上的开口。进一步的，两个所述支路的一侧通过横向连通管连通，所述横向连通管置于所述内槽外部以及所述外槽内部。进一步的，所述排气泡管路与所述横向连通管连通且竖直向上顶部开口。进一步的，两个所述支路的另一侧均连接进液管路。进一步的，所述进液管路上设置有进液阀门，所述排气泡管路上设置有排气泡阀门，所述排气泡阀门与所述进液阀门同时开启，且同时关闭。进一步的，所述进液管路通过所述进液阀门控制并输入化学试剂或去离子水。进一步的，两个所述支路均穿过所述内槽沿所述预设方向上的前后壁。进一步的，所述液体供应管路呈U型，所述液体供应管路位于所述工艺槽的内部下方区域。进一步的，所述液体供应管路的材质包括玻璃。进一步的，两个所述支路上的小孔对称分布且均朝向所述晶圆设置，两个所述支路上的小孔均置于所述内槽内部。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：本技术提供的湿法刻蚀与清洗装置，包括：液体供应管路和排气泡管路，所述液体供应管路分成两个支路，两个所述支路的一侧连通，所述液体供应管路位于同一水平面，如此一来，所述液体供应管路的两个支路压力对等，工艺槽两侧的液体流量相同，从而使晶圆两侧的刻蚀量趋于相同，提高晶圆表面刻蚀一致性。所述排气泡管路与所述液体供应管路连通，所述排气泡管路置于所述内槽外部，所述排气泡管路具有向上的开口，如此一来，所述液体供应管路中的气泡通过所述排气泡管路排出，避免在内槽内部气泡随液体喷射后附着在晶圆表面，解决晶圆表面部分刻蚀和颗粒物残留的问题。附图说明图1为本技术实施例的湿法刻蚀与清洗装置的俯视图；图2为本技术实施例的湿法刻蚀与清洗装置从图1中AA’处的剖视图；图3为本技术实施例的湿法刻蚀与清洗装置从图1中BB’处的剖视图；图4为本技术实施例的湿法刻蚀与清洗装置的进液管路供应示意图。其中，附图标记如下：1-湿法刻蚀与清洗装置；10-工艺槽；101-外槽；102-内槽；20-晶圆夹具；30-液体供应管路；301-支路；302-支路；303-横向连通管；40-排气泡管路；401-排气泡阀门；50-进液管路；501，502，503-进液阀门；W-晶圆；60-储液罐。具体实施方式基于上述研究，本技术实施例提供了一种湿法刻蚀与清洗装置。以下结合附图和具体实施例对本技术进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。本技术实施例提供了一种湿法刻蚀与清洗装置，包括工艺槽，所述工艺槽包括外槽和置于所述外槽中的内槽，所述内槽内部沿预设方向并行设置有多个用于固定晶圆的晶圆夹具，所述湿法刻蚀与清洗装置还包括：液体供应管路和排气泡管路，所述液体供应管路包括两个支路，两个所述支路均沿所述沿预设方向设置且分别位于所述晶圆夹具的两侧，两个所述支路的一侧连通，两个所述支路上均间隔分布有小孔；所述液体供应管路位于同一水平面；所述排气泡管路与所述液体供应管路连通，所述排气泡管路置于所述内槽外部，所述排气泡管路具有向上的开口。以下结合图1和图2详细介绍本技术的湿法刻蚀与清洗装置，如图1和图2所示，本技术的湿法刻蚀与清洗装置1，包括工艺槽10，所述工艺槽10包括外槽101和置于所述外槽101中的内槽102，外槽101和内槽102的顶部均开口。内槽102中的液体满时溢出流到外槽101，外槽101中连接有排液管路。所述内槽102内部沿预设方向并行设置有多个用于固定晶圆W的晶圆夹具20，多个所述晶圆并排固定在所述晶圆夹具20上，所述预设方向例如为所述晶圆的轴线方向，所述湿法刻蚀与清洗装置1还包括：液体供应管路30和排气泡管路40，所述液体供应管路30包括两个支路(301和302)，两个所述支路均沿所述预设方向设置且分别位于所述晶圆夹具的两侧，两个所述支路的一侧连通，具体的，两个所述支路均穿过所述内槽102沿所述预设方向上的前后壁，两个所述支路(301和302)的一侧通过横向连通管303连通，达到双侧互通，两侧供应压力和流量的均衡控制。所述液体供应管路30(301、302和303)例如呈U型，所述液体供应管路30位于同一水平面；如此一来，所述液体供应管路的两个支路压力对等，工艺槽两侧的液体流量相同，从而使晶圆两侧的刻蚀量趋于相同，提高晶圆表面刻蚀一致性。所述液体供应管路30位于所述工艺槽10的内部下方区域。所述液体供应管路30的材质例如为玻璃。所述横向连通管303置于所述内槽102外部以及所述外槽101内部。两个所述支路上均间隔分布有小孔70，两个所述支路上的小孔70对称分布且均朝向所述晶圆设置，两个所述支路上的小孔均置于所述内槽102内部。从小孔喷射处的液体由底部向上喷向晶圆，形成从下向上的冲洗流效果。如图1至图4所示，所述排气泡管路40与所述横向连通管303连通且竖直向上顶部开口。两个所述支路(301和302)的另一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀与清洗装置，包括工艺槽，所述工艺槽包括外槽和置于所述外槽中的内槽，所述内槽内部沿预设方向并行设置有多个用于固定晶圆的晶圆夹具，其特征在于，所述湿法刻蚀与清洗装置还包括：/n液体供应管路和排气泡管路，所述液体供应管路包括两个支路，两个所述支路均沿所述预设方向设置且分别位于所述晶圆夹具的两侧，两个所述支路的一侧连通，两个所述支路上均间隔分布有小孔；所述液体供应管路位于同一水平面；/n所述排气泡管路与所述液体供应管路连通，所述排气泡管路置于所述内槽外部，所述排气泡管路具有向上的开口。/n

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀与清洗装置，包括工艺槽，所述工艺槽包括外槽和置于所述外槽中的内槽，所述内槽内部沿预设方向并行设置有多个用于固定晶圆的晶圆夹具，其特征在于，所述湿法刻蚀与清洗装置还包括：
液体供应管路和排气泡管路，所述液体供应管路包括两个支路，两个所述支路均沿所述预设方向设置且分别位于所述晶圆夹具的两侧，两个所述支路的一侧连通，两个所述支路上均间隔分布有小孔；所述液体供应管路位于同一水平面；
所述排气泡管路与所述液体供应管路连通，所述排气泡管路置于所述内槽外部，所述排气泡管路具有向上的开口。


2.如权利要求1所述的湿法刻蚀与清洗装置，其特征在于，两个所述支路的一侧通过横向连通管连通，所述横向连通管置于所述内槽外部以及所述外槽内部。


3.如权利要求2所述的湿法刻蚀与清洗装置，其特征在于，所述排气泡管路与所述横向连通管连通且竖直向上顶部开口。


4.如权利要求1所述的湿法刻蚀与清洗装置，其特征在于，两个所述支路的另一侧均连接进液管路。
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【专利技术属性】
技术研发人员：金小斗，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42