半导体元件及其制造方法技术

一种半导体元件及其制造方法。在制造半导体元件的方法中，在基板上方形成第一源极/漏极结构，在第一源极/漏极结构上方形成一或多个第一绝缘层，在一或多个第一绝缘层中形成第一开口，用第一导电材料填充第一开口以形成与第一源极/漏极结构接触的第一下部触点，在第一下部触点上方形成一或多个第二绝缘层，在一或多个第二绝缘层中形成第二开口以至少部分地暴露第一下部触点，在第二开口的内侧面的至少一部分上形成第一衬垫层，并且用第二导电材料填充第二开口以形成与第一下部触点接触而不与第一衬垫层接触的第一上部触点。

Semiconductor components and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本揭示是关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体元件的尺寸减小，自对准触点(self-alignedcontact，SAC)已经广泛地用于制造例如在场效晶体管(fieldeffecttransistor，FET)中更靠近栅极结构布置的源极/漏极触点。这些源极/漏极触点通常需要具有较低的电阻率。
技术实现思路
根据本揭示的一个态样，在制造半导体元件的方法中，第一源极/漏极结构在基板上方形成，一或多个第一绝缘层在第一源极/漏极结构上方形成，第一开口在一或多个第一绝缘层中形成，第一开口用第一导电材料填充以形成与第一源极/漏极结构接触的第一下部触点，一或多个第二绝缘层在第一下部触点上方形成，第二开口在一或多个第二绝缘层中形成以至少部分暴露第一下部触点，第一衬垫层在第二开口的内侧面的至少一部分上形成，并且第二开口用第二导电材料填充以形成与第一下部触点接触的第一上部触点，在第一上部触点与第一下部触点之间不插入第一衬垫层。根据本揭示的另一态样，在制造半导体元件的方法中，形成嵌入一或多个第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：/n在一基板上方形成一第一源极/漏极结构；/n在该第一源极/漏极结构上方形成一或多个第一绝缘层；/n在该一或多个第一绝缘层中形成一第一开口；/n用一第一导电材料填充该第一开口以形成与该第一源极/漏极结构接触的一第一下部触点；/n在该第一下部触点上方形成一或多个第二绝缘层；/n在该一或多个第二绝缘层中形成一第二开口以至少部分暴露该第一下部触点；/n在该第二开口的一内侧面的至少一部分上形成一第一衬垫层；以及/n用一第二导电材料填充该第二开口以形成与该第一下部触点接触的一第一上部触点，在该第一上部触点与该第一下部触点之间不插入该第一衬垫层。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,941;20191120 US 16/689,4461.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：
在一基板上方形成一第一源极/漏极结构；
在该第一源极/漏极结构上方形成一或多个第一绝缘层；
在该一或多个第一绝缘层中形成一第一开口；
用一第一导电材料填充该第一开口以形成与该第一源极/漏极结构接触的一第一下部触点；
在该第一下部触点上方形成一或多个第二绝缘层；
在该一或多个第二绝缘层中形成一第二开口以至少部分暴露该第一下部触点；
在该第二开口的一内侧面的至少一部分上形成一第一衬垫层；以及
用一第二导电材料填充该第二开口以形成与该第一下部触点接触的一第一上部触点，在该第一上部触点与该第一下部触点之间不插入该第一衬垫层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一衬垫层在该第二开口的一上部上形成，并且该第一上部触点在该第二开口的一下部处与该一或多个第二绝缘层接触。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该一或多个第二绝缘层包括含有Ge及Sn的至少一者的氧化硅。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该一或多个第一绝缘层包括由一基于氮化硅的材料制成的一第一蚀刻终止层以及在该第一蚀刻终止层上设置的由一基于氧化硅的材料制成的一第一层间介电层。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该一或多个第二绝缘层包括由一基于氮化硅的材料制成的一第二蚀刻终止层以及在该第二蚀刻终止层上设置的由一基于氧化硅的材料制成的一第二层间介电层。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
在该基板上方形成一第一栅极结构，该第一栅极结构包括一第一栅电极以及在该第一栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈皇魁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71