温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体元件及其制造方法。在制造半导体元件的方法中，在基板上方形成第一源极/漏极结构，在第一源极/漏极结构上方形成一或多个第一绝缘层，在一或多个第一绝缘层中形成第一开口，用第一导电材料填充第一开口以形成与第一源极/漏极结构接触的第一下部触...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。