半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本公开实施例公开了一种具有改善的源极/漏极区域轮廓的半导体装置以及其形成方法。在一实施例中，此方法包含蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽；以及形成源极/漏极区域，其包含在第一凹槽中外延生长第一半导体材料且第一半导体材料为硅；于第一半导体材料上外延生长第二半导体材料且第二半导体材料包含硅锗；以及于第二半导体材料上外延生长第三半导体材料且第三半导体材料具有60‑80原子％的锗浓度，第三半导体材料的锗浓度大于第二半导体材料的锗浓度。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及一种改善源极/漏极区域的轮廓及其形成方法。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子应用中，例如，个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体装置：在半导体基底上按序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，并使用微影图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。通过不断减小最小部件尺寸，半导体工业继续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度，这允许将更多的组件整合到预定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的其他问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种半导体装置的形成方法，包括：蚀刻半导体鳍片，以形成第一凹槽；形成源极/漏极区域于第一凹槽中，其中形成源极/漏极区域的步骤包括：外延成长具有第一厚度的第一半导体材料于第一凹槽中，其中第一半导体材料为硅；外延成长具有第二厚度的第二半导体材料于第一半导体材料上，第二半导体材料包括硅锗；以及外延成长第三半导体材料于第二半导体材料上，第三半导体材料具有第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n蚀刻一半导体鳍片，以形成一第一凹槽；/n形成一源极/漏极区域于该第一凹槽中，其中形成该源极/漏极区域的步骤包括：/n外延成长具有一第一厚度的一第一半导体材料于该第一凹槽中，其中该第一半导体材料为硅；/n外延成长具有一第二厚度的一第二半导体材料于该第一半导体材料上，该第二半导体材料包括硅锗；以及/n外延成长一第三半导体材料于该第二半导体材料上，该第三半导体材料具有一第三厚度，其中该第三厚度对该第一厚度的比例大于5，其中该第三厚度对该第二厚度的比例大于0.6，以及其中该第三半导体材料具有从60到80原子％的锗浓度，该第三半导体材料的锗浓度大于该第二半导体材料...

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,542;20190816 US 16/543,0291.一种半导体装置的形成方法，包括：
蚀刻一半导体鳍片，以形成一第一凹槽；
形成一源极/漏极区域于该第一凹槽中，其中形成该源极/漏极区域的步骤包括：
外延成长具有一第一厚度的一第一半导体材料于该第一凹槽中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁姮彣，宋学昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71