【技术实现步骤摘要】
一种超低功耗电压基准电路
本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种超低功耗电压基准电路。
技术介绍
电压基准是现代模拟集成电路的重要组成部分，它与温度、电源电压和工艺无关，广泛应用于电压变换器、可穿戴电子产品和物联网等领域。温度系数，电压线性度，电源抑制比，功耗是电压基准的几大性能指标。在设计中，研究者希望电路在超低功耗下工作，并且具有低温度系数，低电压线性度和高电源抑制比。在早期的基准源设计中，通常是利用双极型晶体管的基极-发射极电压VBE具有负温度系数，不同发射结电流密度下的两个基发射结电压之差ΔVBE具有正温度系数，将两者线性叠加，进而在理论上能得到零温度系数的基准电压。但这些电路具有功耗高，最低工作电压高等缺点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超低功耗电压基准电路，具有超低功耗、低温度系数、低线性度、高电源抑制比、较低的工作电压。为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种超低功耗电压基准电路，包括：启动电路模块、电流产生电路模块和输出电压基准电路模块；所述启动电路模...
【技术保护点】
1.一种超低功耗电压基准电路，其特征在于，包括：启动电路模块、电流产生电路模块和输出电压基准电路模块；/n所述启动电路模块与所述电流产生电路模块连接，所述电流产生电路模块与所述输出电压基准电路模块连接；/n所述启动电路模块，用于向所述电流产生电路模块注入电压启动信号；/n所述电流产生电路模块，用于根据所述电压启动信号产生正温度系数电流，并将所述正温度系数电流复制到所述输出电压基准电路模块；其中，所述正温度系数电流为与电源无关的偏置电流；具体的，/n所述电流产生电路模块包括三条电流支路和一个运放OP，所述三条电流支路由NMOS管M1、M2、M3、M4和M5，以及PMOS管PM...
【技术特征摘要】
1.一种超低功耗电压基准电路，其特征在于，包括：启动电路模块、电流产生电路模块和输出电压基准电路模块；
所述启动电路模块与所述电流产生电路模块连接，所述电流产生电路模块与所述输出电压基准电路模块连接；
所述启动电路模块，用于向所述电流产生电路模块注入电压启动信号；
所述电流产生电路模块，用于根据所述电压启动信号产生正温度系数电流，并将所述正温度系数电流复制到所述输出电压基准电路模块；其中，所述正温度系数电流为与电源无关的偏置电流；具体的，
所述电流产生电路模块包括三条电流支路和一个运放OP，所述三条电流支路由NMOS管M1、M2、M3、M4和M5，以及PMOS管PM1、PM2和PM3组成；所述PM1、PM2和PM3以电流镜结构连接，即PM1、PM2和PM3的栅极连接并引出产生电流输出端，并连接到所述运放OP的输出端，所述PM1、PM2和PM3的源极接电源；所述M1和所述M3分别接成二极管形式，即M1和M3各自的栅极和漏极相连，所述M2和所述M4的源极接地，所述M1的源极和所述M2的漏极连接，并接入运放OP的反相输入端，所述M1的漏极和所述PM1的漏极连接，所述M1的栅极和漏极均与所述M2的栅极连接，所述M3的漏极和栅极均与所述PM2的漏极连接，所述M4的漏极与所述M3的源极连接，并接入所述运放OP的同相输入端；所述M5的栅极接到漏极，连接成二极管形式，所述M5的源极接地，所述M5的栅极和漏极均与M4的栅极连接，同时与所述PM3的漏极相连；
所述输出电压基准电路模块，用于对所述正温度系数电流进行温度补偿，输出基准电压。
2.根据权利要求1所述的超低功耗电压基准电路，其特征在于，所述电流产生电路模块的NMOS管M5工作在饱和区，所述电流产生电路模块的NMOS管M4工作在深性线性区，所述电流产生电路模块的其余MOS管均工作在亚阈值区。
3.根据权利要求1或2所述的超低功耗电压基准电路，其特征在于，所述输出电压基准电路模块包括PMOS管PM4、PM5和NMOS管M6、M7...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾衍瀚，廖锦锐，林奕涵，杨敬慈，李锦韬，
申请(专利权)人：广州大学，
类型：新型
国别省市：广东;44
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