一种基准电路芯片温度系数的测试方法技术

本发明专利技术公开了一种基准电路芯片温度系数的测试方法，包括以下步骤：步骤1，将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；步骤2，将保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热基准电路芯片至预设温度；将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；其中，预设温度的取值范围为27℃～85℃。本发明专利技术测试方法简单，对测试仪器要求较低，测试结果可靠性高。

A test method of temperature coefficient of reference circuit chip

【技术实现步骤摘要】
一种基准电路芯片温度系数的测试方法
本专利技术属于集成电路测试
，特别涉及一种基准电路芯片温度系数的测试方法。
技术介绍
基准电路被广泛的应用在各种模拟芯片里面，例如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)中，同样也应用在电压和电流稳压器(LDO)中，是最基本的模块之一，芯片工作的温度往往不是恒定的，随着温度的变化，基准电压往往也会改变，从而会影响整体电路的性能，。因此，获得一个不随温度变化的基准源对很多电路的设计至关重要。温度系数成为基准设计的一个重要指标，常用TC表示，其公式为：其中ΔT代表基准源工作的温度范围，Vmax是该范围内基准最大电压，Vmin是该范围内基准最小电压，Vref表示该温度范围内基准源的平均电压。基准温度系数常用单位为ppm/℃。基准源的输出在制造的过程中会受到工艺偏差等因素的影响，导致基准源温度系数的恶化，出现温度系数太高或太低，不满足工作需求的情况。为了获得一款高精度的基准源，通常需要设计修调电路对基准芯片进行测试、修调。一种常用的测试方式是在常温下对基准输出进行修调。由前人的推导可知：硅的带隙电压E本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，/n所述基准电路芯片设置有保护二极管；/n所述测试方法包括以下步骤：/n步骤1，将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；/n步骤2，将所述保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热所述基准电路芯片至预设温度；将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；/n其中，所述预设温度的取值范围为27℃～85℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，
所述基准电路芯片设置有保护二极管；
所述测试方法包括以下步骤：
步骤1，将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；
步骤2，将所述保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热所述基准电路芯片至预设温度；将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；
其中，所述预设温度的取值范围为27℃～85℃。


2.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，步骤2中，所述保护二极管的结温小于等于150℃。


3.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，步骤2中，所述保护二极管发热功率P的计算表达式为：
P＝VI，
式中，V为保护二极管两端压降，I为导通电流。


4.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，所述保护二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红义，王竞成，惠静妮，黄碧云，刘沛，张国和，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61