【技术实现步骤摘要】
曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路
本申请涉及一种基准电压源电路，尤其涉及一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路。
技术介绍
随着集成电路工艺的不断进步，带隙基准源越来越广泛的应用于各种电子系统，例如温度传感器、电源稳压器、数模转换器、模数转换器以及存储器电路中。随着技术的不断更新换代，系统对带隙基准的各种性能指标的要求也在不断增加。带隙基准为整个系统提供了基准的电压，其性能将直接影响整个系统的工作性能。因此，要求其输出基准电压具有较低的温度系数以及较高的精度，即电路分布范围比较小、噪声小及温度系数比较小。在模数转换器系统，基准电压是否精准、很大程度上将影响模数转换器的精度。带隙基准一般通过负温度系数的PNP三极管的基极-发射极电压VBE电压和正温度系数的PNP三极管的基极-发射极电压差ΔVBE进行线性叠加产生。然而，在温度区间内，其输出电压仍然存在着高阶曲率变化。图1所示为现有的一种带隙基准源电路的电路图，其主要包括电流镜M1、M2、运算放大器、NPN三极管Q1、Q2及一阶补偿电阻R1、R2。其工作原理为PNP...
【技术保护点】
1.一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，用于产生一基准电压，其特征在于，所述曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路包括：/n启动电路，所述启动电路用于为电压基准源电路提供启动电压，以避免所述电压基准源电路工作在零状态区；/n一阶基准电路，所述一阶基准电路连接所述启动电路，所述一阶基准电路用于产生低温度系数基准电压；及/n高阶曲率补偿电路，所述高阶曲率补偿电路连接所述一阶基准电路，所述高阶曲率补偿电路用于对所述一阶基准电路进行高阶温度曲率补偿。/n
【技术特征摘要】
1.一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，用于产生一基准电压，其特征在于，所述曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路包括：
启动电路，所述启动电路用于为电压基准源电路提供启动电压，以避免所述电压基准源电路工作在零状态区；
一阶基准电路，所述一阶基准电路连接所述启动电路，所述一阶基准电路用于产生低温度系数基准电压；及
高阶曲率补偿电路，所述高阶曲率补偿电路连接所述一阶基准电路，所述高阶曲率补偿电路用于对所述一阶基准电路进行高阶温度曲率补偿。
2.如权利要求1所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述一阶基准电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP管、第二PNP管及第一运算放大器，所述第一PMOS管及所述第二PMOS管的源极均连接电源，所述第一PMOS管及所述第二PMOS管的栅极均连接所述第一运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的漏极通过第一电阻连接所述第一PNP管的发射极，所述第一PNP管的基极及集电极均接地，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的第一输入端，所述第二PMOS管的漏极还连接所述第二PNP管的发射极，所述第二PNP管的基极连接所述第一PNP管的发射极，所述第二PNP管的集电极接地。
3.如权利要求2所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述一阶基准电路还包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三PNP管及第四PNP管，所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的栅极均连接所述第一运算放大器的输出端，所述第三PMOS管及所述第四PMOS管的源极均连接所述电源，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的第二输入端，所述第三PMOS管的漏极还通过第二电阻连接所述第三PNP管的发射极，所述第四PMOS管的漏极通过第三电阻连接所述第四PNP管的发射极，所述第三PNP管的基极连接所述第四PNP管的发射极，所述第三PNP管的集电极接地，所述第四PNP管的基极及集电极均接地。
4.如权利要求3所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述一阶基准电路还包括第五PMOS管及第五PNP管，所述第五PMOS管的栅极连接所述第一运算放大器的输出端，所述第五PMOS管的源极连接所述电源，所述第五PMOS管的漏极通过第四电阻连接所述第五PNP管的发射极，所述第五PNP管的基极接地，所述第五PNP管的集电极接地，所述第四电阻与所述第五PMOS管的漏极之间的节点作为基准电压输出端。
5.如权利要求4所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述高阶曲率补偿电路包括第二运算放大器、第一NMOS管及第六PMOS管，所述第二运算放大器的第一输入端连接所述第五PMOS管的漏极，所述第二运算放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极，所述第二运算放大器的第二输入端连接所述第一NMOS管的源极，所述第一NMOS管的源极通过第五电阻接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的源极连接所述电源，所述第六PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极。
6.如权利要求5所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述高阶曲率补偿电路还包括第七PMOS管、第八PMOS管、第六PNP管及第七PNP管，所述第七PMOS管及第八PMOS管的栅极均连接所述第六PMOS管的栅极，所述第七PMOS管及第八PMOS管的源极均连接所述电源，所述第七PMOS管的漏极连接所述第六PNP管的发射极，所述第七PMOS管的漏极还通过第六电阻连接所述第一运算放大器的第一输入端，所述第七PMOS管的漏极还通过第七电阻连接所述第一运算放大器的第二输入端，所述第六PNP管的集电极接地，所述第六PNP管的基极连接所述第七PNP管的发射极，所述第八PMOS管的漏极通过第八电阻连接所述第七PNP管的发射极，所述第...
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