带有启动电路的带隙基准源电路制造技术

本申请公开了一种带有启动电路的带隙基准源电路，涉及半导体集成电路技术领域。该电路包括启动电路和带隙基准源主体电路；启动电路与带隙基准源主体电路分别连接电源电压端；启动电路包括NMOS管，带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、PMOS管、三极管；NMOS管的源极与运算放大器的反相输入端、第一PMOS管的漏极、第一三极管的发射极和第一电阻连接；运算放大器的输出端与第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管分别连接，第三PMOS管的漏极与第二电阻的公共端为该电路的输出端，NMOS管的栅极连接输出端；避免了整体电路零电流的简并点问题，达到期望的稳定工作点。

Band gap reference circuit with start circuit

【技术实现步骤摘要】
带有启动电路的带隙基准源电路
本申请涉及半导体集成电路
，具体涉及一种带有启动电路的带隙基准源电路。
技术介绍
带隙基准源电路在集成电路中广泛应用，带隙基准源电路用于提供不随温度和电压电源变化的基准电压，或，由基准电压转变得到的基准电流。一般的低电压带隙基准源电路存在启动问题，即存在多个简并点，其中，整体电路零电流是不希望出现的，期望的稳定工作点是需要的。
技术实现思路
本申请提供了一种带有启动电路的带隙基准源电路，可以解决相关技术中整体电路零电流的简并点的问题。第一方面，本申请实施例提供了一种带有启动电路的带隙基准源电路，包括启动电路和带隙基准源主体电路，启动电路用于为带隙基准源主体电路提供启动电压；启动电路与带隙基准源主体电路分别连接电源电压端；启动电路包括NMOS管，带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、三个PMOS管、两个三极管；NMOS管的源极与带隙基准源主体电路中的运算放大器的反相输入端、第一PMOS管的漏极、第一三极管的发射极和第一电阻连接；第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接后与第三PMOS管的栅极连接，运算放大器的输出端与第三PMOS管的栅极连接，运算放大器的输出端与第三PMOS管的栅极连接，运算放大器的反相输入端与第一三极管、第一PMOS管的漏极分别连接，运算放大器的同相输入端与第二三极管、第二PMOS管的漏极分别连接，第二三极管接地；第三PMOS管的漏极与第二电阻连接，第三PMOS管的漏极与第二电阻的公共端为带有启动电路的带隙基准源电路的输出端，NMOS管的栅极连接带有启动电路的带隙基准源电路的输出端。可选的，NMOS管的源极通过第一电阻接地，NMOS管的漏极连接电源电压端；运算放大器的反相输入端与第一三极管的发射极连接，第一三极管的基极和集电极接地；运算放大器的同相输入端通过第三电阻连接第二三极管的发射极，第二三极管的基极和集电极接地；运算放大器的同相输入端还连接第四电阻，第四电阻接地；第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极分别连接电源电压端。可选的，NOMS管的阈值电压为负值。可选的，将NMOS管、运算放大器、第一PMMOS管和第一三极管的公共端记为第一连接点；上电时，带隙基准源电路的输出电压为0V，第一连接点的电压为0V，NMOS管导通，电源电压端为第一连接点充电；当第一连接点的电压大于带隙基准源电路的输出电压时，NMOS管断开，带有启动电路的带隙基准源电路开始正常工作。第二方面，本申请实施例提供了一种带有启动电路的带隙基准源电路，包括启动电路、带隙基准源主体电路和稳定性电路，启动电路用于为带隙基准源主体电路提供启动电压；启动电路、带隙基准源主体电路、稳定性电路分别连接电源电压端；启动电路包括第一NMOS管和第一电阻，带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、三个PMOS管、两个三极管，稳定性电路包括第二NMOS管和第一电容；第一NMOS管的源极与带隙基准源主体电路中的运算放大器的反相输入端、第一PMOS管的漏极、第一三极管的发射极和第二电阻连接；第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接后与第三PMOS管的栅极连接，运算放大器的输出端与第三PMOS管的栅极连接，运算放大器的反相输入端与第一三极管、第一PMOS管的漏极分别连接，运算放大器的同相输入端与第二三极管、第二PMOS管的漏极分别连接，第二三极管接地；第三PMOS管的漏极与第二电阻连接，第三PMOS管的漏极与第三电阻的公共端为带有启动电路的带隙基准源电路的输出端，NMOS管的栅极连接带有启动电路的带隙基准源电路的输出端；第二NMOS管与第一电阻、第三PMOS管分别连接。可选的，NMOS管的源极通过第二电阻接地，第一NMOS管的漏极通过第一电阻连接电源电压端；运算放大器的反相输入端与第一三极管的发射极连接，第一三极管的基极和集电极接地；运算放大器的同相输入端通过第四电阻连接第二三极管的发射极，第二三极管的基极和集电极接地；运算放大器的同相输入端还连接第五电阻，第五电阻接地；第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极分别连接电源电压端。可选的，第二NMOS管的源极与第三PMOS管的栅极连接，第二NMOS管的漏极通过第一电容连接电源电压，第一NMOS管与第一电阻的公共端与第二NMOS管的栅极连接。可选的，第一NOMS管的阈值电压为负值。可选的，将NMOS管、运算放大器、第一PMMOS管和第一三极管的公共端记为第一连接点，将第一电阻、第一NMOS管和第二NMOS管的公共端记为第二连接点；上电时，带隙基准源电路的输出电压为0V，第一连接点的电压为0V，第二连接点的电压为0V，第一NMOS管导通，电源电压端为第一连接点充电，同时第二NMOS管为断开状态；当第一连接点的电压大于带隙基准源电路的输出电压时，第一NMOS管断开，第二连接点为高电平，带有启动电路的带隙基准源电路开始正常工作，同时第二NMOS管导通。本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请实施例提供的带有启动电路的带隙基准源电路，包括启动电路和带隙基准源主体电路，启动电路包括NMOS管，NMOS管的源极与带隙基准源主体电路中的第一电阻、第一PMOS管的漏极、运算放大器的反相输入端连接，NMOS管的栅极与带隙基准源主体电路的输出端连接，通过NMOS管比较输出端电压和第一连接点处的电压，完成带隙基准源电路的正常启动，避免整体电路零电流的简并点问题，达到期望的稳定工作点。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有的带隙基准源电路的电路原理图；图2是本申请一实施例提供的一种带有启动电路的带隙基准源电路的电路原理图；图3是本申请另一实施例提供的一种带有启动电路的带隙基准源电路的电路原理图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有启动电路的带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路和带隙基准源主体电路，所述启动电路用于为所述带隙基准源主体电路提供启动电压；/n所述启动电路与所述带隙基准源主体电路分别连接电源电压端；/n所述启动电路包括NMOS管，所述带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、三个PMOS管、两个三极管；/n所述NMOS管的源极与所述带隙基准源主体电路中的所述运算放大器的反相输入端、第一PMOS管的漏极、第一三极管的发射极和第一电阻连接；/n第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接后与第三PMOS管的栅极连接，所述运算放大器的输出端与所述第三PMOS管的栅极连接，所述运算放大器的反相输入端与所述第一三极管、所述第一PMOS管的漏极分别连接，所述运算放大器的同相输入端与第二三极管、所述第二PMOS管的漏极分别连接，所述第二三极管接地；/n所述第三PMOS管的漏极与第二电阻连接，所述第三PMOS管的漏极与第二电阻的公共端为所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端，所述NMOS管的栅极连接所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种带有启动电路的带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路和带隙基准源主体电路，所述启动电路用于为所述带隙基准源主体电路提供启动电压；
所述启动电路与所述带隙基准源主体电路分别连接电源电压端；
所述启动电路包括NMOS管，所述带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、三个PMOS管、两个三极管；
所述NMOS管的源极与所述带隙基准源主体电路中的所述运算放大器的反相输入端、第一PMOS管的漏极、第一三极管的发射极和第一电阻连接；
第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接后与第三PMOS管的栅极连接，所述运算放大器的输出端与所述第三PMOS管的栅极连接，所述运算放大器的反相输入端与所述第一三极管、所述第一PMOS管的漏极分别连接，所述运算放大器的同相输入端与第二三极管、所述第二PMOS管的漏极分别连接，所述第二三极管接地；
所述第三PMOS管的漏极与第二电阻连接，所述第三PMOS管的漏极与第二电阻的公共端为所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端，所述NMOS管的栅极连接所述带有启动电路的带隙基准源电路的输出端。


2.根据权利要求1所述的带有启动电路的带隙基准源电路，其特征在于，所述NMOS管的源极通过所述第一电阻接地，所述NMOS管的漏极连接所述电源电压端；
所述运算放大器的反相输入端与第一三极管的发射极连接，所述第一三极管的基极和集电极接地；
所述运算放大器的同相输入端通过第三电阻连接所述第二三极管的发射极，所述第二三极管的基极和集电极接地；所述运算放大器的同相输入端还连接第四电阻，所述第四电阻接地；
所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的源极分别连接所述电源电压端。


3.根据权利要求1或2所述的带有启动电路的带隙基准源电路，其特征在于，所述NOMS管的阈值电压为负值。


4.根据权利要求1或2所述的带有启动电路的带隙基准源电路，其特征在于，将所述NMOS管、所述运算放大器、所述第一PMMOS管和所述第一三极管的公共端记为第一连接点；
上电时，所述带隙基准源电路的输出电压为0V，所述第一连接点的电压为0V，所述NMOS管导通，所述电源电压端为所述第一连接点充电；当所述第一连接点的电压大于所述带隙基准源电路的输出电压时，所述NMOS管断开，所述带有启动电路的带隙基准源电路开始正常工作。


5.一种带有启动电路的带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路、带隙基准源主体电路和稳定性电路，所述启动电路用于为所述带隙基准源主体电路提供启动电压；
所述启动电路、所述带隙基准源主体电路、所述稳定性电路分别连接电源电压端；
所述启动电路包括第一NMOS管和第一电阻，所述带隙基准源主体电路至少包括运算放大器、...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵博闻，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31