【技术实现步骤摘要】
发光二极管阵列本申请是申请日为2013年08月06日、申请号为201380046853.2、专利技术名称为“晶圆级发光二极管阵列”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管阵列，更具体地，涉及一种具有通过布线连接并且形成为倒装芯片型的多个发光二极管的发光二极管阵列。
技术介绍
发光二极管是这样一种器件，即，当通过其阳极端子和阴极端子对其施加导通电压或更大的电压时执行发光操作。通常，用于使发光二极管发光的导通电压具有比通用电源的电压低得多的值。因此，发光二极管存在这样的缺点，即，其不能在110V或220V的通用AC电源下直接使用。使用通用AC电源操作发光二极管需要电压转换器，以降低提供的AC电压。因此，应该提供用于发光二极管的驱动电路，这成为导致包括发光二极管的照明设备的制造成本增加的一个因素。由于应该提供独立的驱动电路，因此照明设备的体积增大并且产生不必要的热。另外，存在诸如对所供电来说提高功率因数的问题。为了在不包括独立的电压转换方式的状态下使用通用AC电源，已经提出通过将多个发光二极管芯...
【技术保护点】
1.一种发光二极管阵列，包括：/n第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；/n第一上电极，形成在所述第一发光二极管的第二半导体层上，且电连接到所述第一发光二极管的第一半导体层，与所述第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及/n第二上电极，形成在所述第二发光二极管的第二半导体层上，电连接到所述第二发光二极管的第一半导体层，与所述第二发光二极管的第二半导体层绝缘，/n其中，所述第一上电极具有从所述第一发光二极管侧向所述第二发光二极管侧突出的突出部，所述突出部延伸到所述第二发光二极管上部而与所述第二发光二极管的第二半导体层电连接，/n所述第二上...
【技术特征摘要】
20120907 KR 10-2012-0099263;20120913 KR 10-2012-011.一种发光二极管阵列，包括：
第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；
第一上电极，形成在所述第一发光二极管的第二半导体层上，且电连接到所述第一发光二极管的第一半导体层，与所述第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及
第二上电极，形成在所述第二发光二极管的第二半导体层上，电连接到所述第二发光二极管的第一半导体层，与所述第二发光二极管的第二半导体层绝缘，
其中，所述第一上电极具有从所述第一发光二极管侧向所述第二发光二极管侧突出的突出部，所述突出部延伸到所述第二发光二极管上部而与所述第二发光二极管的第二半导体层电连接，
所述第二上电极具有形成为收容所述第一上电极的突出部的槽部，
所述第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与所述第二发光二极管的第一半导体层接触，
所述第一上电极的突出部向所述接触区域之间突出。
2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，
所述第一上电极和所述第二上电极为包括Al层的同一材料的金属层。
3.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，
所述第一上电极和所述第二上电极包括：欧姆接触层，与第一半导体层欧姆接触。
4.如权利要求3所述的发光二极管阵列，其中，
所述第一上电极和所述第二上电极还包括：反射层，位于所述欧姆接触层上。
5.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，还包括：
第一层间绝缘膜，排列在所述第一发光二极管与所述第一上电极之间和所述第二发光二极管与所述第二上电极之间，
其中，所述第一上电极和所述第二上电极通过所述第一层间绝缘膜与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的侧面绝缘。
6.如权利要求5所述的发光二极管阵列，其中，还包括：
下电极，排列在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的第二半导体层上，
其中，所述第一层间绝缘膜暴露所述第二发光二极管上的下电极的一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：张锺敏，蔡钟炫，李俊燮，徐大雄，金贤儿，卢元英，姜珉佑，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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