一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片结构及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，所述N型电流扩展层为Al组份x满足0.1≤x≤0.5的(Al

A reverse polarity AlGaInP thin film LED chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管领域，尤其是涉及一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法。
技术介绍
为提高AlGaInPLED芯片的光电转换效率，需兼顾LED芯片的光提取效率和电流扩展的均匀性。业界为了提高LED芯片的光提取效率，将向下发射的光和从上表面反射回半导体内部的光尽可能多地提取出来，通常需要将LED薄膜的原生吸光的GaAs衬底剥离，并将LED薄膜转移到新的支撑基板上制成N面出光的垂直结构AlGaInP薄膜LED芯片。业界通常通过增加AlGaInP薄膜LED芯片的N面电极线条数量来提高LED芯片的电流扩展能力，LED芯片的间距通常小于90μm，如图1所示。但是，如果N面扩展电极线的数量多，则N面扩展电极线所占的发光面积比例大，由于芯片的出光面是N面，而不透明的N面电极具有遮光作用，致使这部分光无法从LED芯片发出，最终降低LED芯片的光提取效率。制备高效AlGaInP薄膜LED芯片需要同时保证LED芯片的高光提取效率和均匀的电流扩展，这两者都与N面扩展电极线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片，从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，其特征在于：所述N型电流扩展层为Al组份x满足0.1≤x≤0.5的(Al

【技术特征摘要】
1.一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片，从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，其特征在于：所述N型电流扩展层为Al组份x满足0.1≤x≤0.5的(AlxGa1-x)0.5In0.5P材料。


2.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面电极包括焊盘和N面扩展电极线，N面扩展电极线按间距型平行线、方环型或圆环型排列中的一种。


3.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面扩展电极线间距为W，120μm≤W≤200μm。


4.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小明，陈芳，陶喜霞，王光绪，李树强，江风益，
申请(专利权)人：南昌大学，南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36