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本发明涉及一种发光二极管阵列，包括：第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一上电极，形成在第一发光二极管的第二半导体层上，与第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及第二上电极，形成在第二发光二极管的第...
该专利属于首尔伟傲世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过首尔伟傲世有限公司授权不得商用。

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