一种半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明专利技术实施例通过刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；并在所述第二凹槽底部形成与第一源区和第二源区的掺杂类型相反的拾取区；在第二凹槽的侧壁和底面形成金属硅化物，以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。由此可以提高半导体器件的体区的拾取能力。

A semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。现有常用的半导体器件包括：场效应晶体管、双极型晶体管以及晶体二级管等。其中，特别是横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS)，由于其更容易与互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductors，CMOS)的逻辑工艺兼容而被广泛应的用于功率集成电路中。然而，现有的半导体器件的体区的拾取能力有待提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的拾取能力。根据本专利技术实施例的一个方面，提供一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，位于所述体区上的栅极结构层以及覆盖所述栅极结构层的阻挡层，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；刻蚀预定区域的所述阻挡层和所述栅极结构层形成露出所述体区的第一凹槽和由所述第一凹槽分隔的第一栅极结构和第二栅极结构；对所述第一凹槽中露出的所述体区进行离子注入，在所述体区中形成掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；>刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；对所述第二凹槽底部进行离子注入，在所述第二凹槽底部形成具有第二掺杂类型的拾取区；图案化所述阻挡层；通过自对准工艺形成金属硅化物，所述金属硅化物至少覆盖在第二凹槽的侧壁和底面以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。进一步地，所述图案化所述阻挡层包括：刻蚀第一栅极结构和第二栅极结构上方的阻挡层，以形成多个露出第一栅极结构的孔以及多个露出第二栅极结构的孔；通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述孔的底部。进一步地，所述图案化所述阻挡层还包括：刻蚀所述第一漏区和所述第二漏区上方的阻挡层，以露出所述第一漏区和所述第二漏区；通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述第一漏区、所述第二漏区。进一步地，所述方法还包括：在所述阻挡层上形成浮栅。进一步地，所述方法还包括：在形成浮栅的同时形成分别连接所述第一漏区、所述第二漏区、所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述拾取区的接触孔；在所述接触孔上方形成互连结构，以使得第一漏区和第二漏区形成电连接。进一步地，所述方法还包括：在形成所述第二凹槽前，形成覆盖所述第一栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第一侧墙，以及覆盖所述第二栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第二侧墙。进一步地，所述第一源区在所述第一侧墙的下方，所述第二源区在所述第二侧墙的下方，所述第二凹槽位于所述第一侧墙和所述第二侧墙之间。进一步地，所述第一漂移区和所述第二漂移区具有第一掺杂类型，所述体区具有第二掺杂类型。根据本专利技术实施例的另一方面，提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖部分所述第一漂移区；第二栅极结构，所述第二栅极结构覆盖部分所述第二漂移区；第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区形成在体区中，且相互分隔，所述第一源区和所述第二源区具有第一掺杂类型；其中，所述体区中形成有凹陷，所述凹陷分隔第一源区和第二源区，所述凹陷底部形成有拾取区，所述拾取区具有第二掺杂类型，所述凹陷的侧壁和所述拾取区表面形成有金属硅化物，以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。进一步地，所述半导体器件还包括阻挡层；所述阻挡层覆盖第一栅极结构和所述第一漂移区，以及覆盖第二栅极结构和所述第二漂移区；其中，在所述第一栅极结构上方的所述阻挡层中形成有多个露出所述第一栅极结构的孔，在所述第二栅极结构上方的所述阻挡层中形成有多个露出所述第二栅极结构的孔，所述孔中形成有金属硅化物。进一步地，所述半导体器件还包括：浮栅，形成在所述阻挡层上方；接触孔，所述接触孔分别连接所述第一漏区、所述第二漏区、所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述拾取区；互连结构，形成在所述接触孔上方，以使得所述第一漏区和所述第二漏区形成电连接。进一步地，所述第一漏区和所述第二漏区上形成有金属硅化物。进一步地，所述半导体器件还包括：第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述第一栅极结构侧壁和所述第一源区；第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第二栅极结构侧壁和所述第二源区。进一步地，所述凹陷位于所述第一侧墙和所述第二侧墙之间。本专利技术实施例通过刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；并在所述第二凹槽底部形成与第一源区和第二源区的掺杂类型相反的拾取区；在第二凹槽的侧壁和底面形成金属硅化物，以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。由此可以提高半导体器件的体区的拾取能力。附图说明通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1是对比例的半导体器件的剖面示意图；图2是本专利技术实施例的半导体器件的形成方法的流程图；图3-图14是本专利技术实施例的半导体器件的形成方法的各步骤形成的结构的示意图；图15是本专利技术实施例的半导体器件的剖面示意图。具体实施方式以下基于实施例对本专利技术进行描述，但是本专利技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。为了避免混淆本专利技术的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多层”的含义是两层或两层以上。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，位于所述体区上的栅极结构层以及覆盖所述栅极结构层的阻挡层，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；/n刻蚀预定区域的所述阻挡层和所述栅极结构层形成露出所述体区的第一凹槽和由所述第一凹槽分隔的第一栅极结构和第二栅极结构；/n对所述第一凹槽中露出的所述体区进行离子注入，在所述体区中形成掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；/n刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；/n对所述第二凹槽底部进行离子注入，在所述第二凹槽底部形成具有第二掺杂类型的拾取区；/n图案化所述阻挡层；/n通过自对准工艺形成金属硅化物，所述金属硅化物至少覆盖在第二凹槽的侧壁和底面以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，位于所述体区上的栅极结构层以及覆盖所述栅极结构层的阻挡层，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；
刻蚀预定区域的所述阻挡层和所述栅极结构层形成露出所述体区的第一凹槽和由所述第一凹槽分隔的第一栅极结构和第二栅极结构；
对所述第一凹槽中露出的所述体区进行离子注入，在所述体区中形成掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；
刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；
对所述第二凹槽底部进行离子注入，在所述第二凹槽底部形成具有第二掺杂类型的拾取区；
图案化所述阻挡层；
通过自对准工艺形成金属硅化物，所述金属硅化物至少覆盖在第二凹槽的侧壁和底面以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化所述阻挡层包括：
刻蚀第一栅极结构和第二栅极结构上方的阻挡层，以在形成多个露出第一栅极结构的孔以及多个露出第二栅极结构的孔；
其中，通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述孔的底部。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述图案化所述阻挡层还包括：刻蚀所述第一漏区和所述第二漏区上方的阻挡层，以露出所述第一漏区和所述第二漏区；
通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述第一漏区和所述第二漏区。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述阻挡层上形成浮栅。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成浮栅的同时形成分别连接所述第一漏区、所述第二漏区、所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述拾取区的接触孔；
在所述接触孔上方形成互连结构，以使得第一漏区和第二漏区形成电连接。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第二凹槽前，形成覆盖所述第一栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第一侧墙，以及覆盖所述第二栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第二侧墙。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一源区在所述第一侧墙的下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：伏广才，叶星，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31