一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件制造技术

本发明专利技术属于半导体功率器件技术领域，具体为一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件，用以克服现有横向功率MOSFET器件中高介电常数薄膜仅能够影响漂移区靠近器件表面的一小部分区域、导致对器件性能的优化不够充分的问题。本发明专利技术在现有的具有高介电常数薄膜的横向功率MOSFET器件的基础上，将二维平面结构改造为三维鳍状结构；所述高介电常数薄膜将器件的鳍状N型漂移区完全包裹，从而在器件关断时、帮助鳍状N型漂移区的各个表面得到增强RESURF效应，在器件导通时、帮助鳍状N型漂移区的各个表面产生电子积累层，最终进一步优化器件击穿电压与比导通电阻之间的关系。

A high dielectric constant thin film finned transverse power MOSFET

【技术实现步骤摘要】
一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件
本专利技术属于半导体功率器件
，涉及一种横向功率MOSFET器件(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)，具体为一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件。
技术介绍
击穿电压与比导通电阻之间的关系向来是评价功率半导体器件性能最重要的指标之一。RESURF(REducedSURfaceField减小表面电场)技术是优化器件击穿电压与比导通电阻之间关系的一种常用有效手段。一种传统的应用了RESURF技术的横向功率MOSFET器件的结构如图1所示，包括：N型衬底(n-sub)，位于N型衬底上表面的埋氧化层(buried-oxide)，位于埋氧化层上表面的相邻接的P型阱区(p-well)与N型漂移区(n-drift)；所述P型阱区中设置有相邻接的P型重掺杂区(p+)与源极侧N型重掺杂区(n+)，所述P型重掺杂区与部分源极侧N型重掺杂区上表面设置有源极(S)，所述P型阱区上表面设置有分别与源极侧N型重掺杂区、N型漂移区相接触的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件，包括：/nN型衬底，位于N型衬底上表面的埋氧化层，位于埋氧化层上表面的相邻接的P型阱区与N型漂移区，所述P型阱区中设置有相邻接的P型重掺杂区与源极侧N型重掺杂区，所述N型漂移区中设置有漏极侧N型重掺杂区；其特征在于，/n所述P型阱区为鳍状P型阱区，所述N型漂移区为鳍状N型漂移区，所述P型重掺杂区、源极侧N型重掺杂区与漏极侧N型重掺杂区均为“冂”字型；所述“冂”字型P型重掺杂区与部分源极侧“冂”字型N型重掺杂区的外表面设置有“冂”字型源极；所述鳍状P型阱区外表面设置有分别与源极侧N型重掺杂区、N型漂移区相接触的“冂”字型栅氧化层，所述“冂...

【技术特征摘要】
1.一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件，包括：
N型衬底，位于N型衬底上表面的埋氧化层，位于埋氧化层上表面的相邻接的P型阱区与N型漂移区，所述P型阱区中设置有相邻接的P型重掺杂区与源极侧N型重掺杂区，所述N型漂移区中设置有漏极侧N型重掺杂区；其特征在于，
所述P型阱区为鳍状P型阱区，所述N型漂移区为鳍状N型漂移区，所述P型重掺杂区、源极侧N型重掺杂区与漏极侧N型重掺杂区均为“冂”字型；所述“冂”字型P型重掺杂区与部分源极侧“冂”字型N型重掺杂区的外表面设置有“冂”字型源极；所述鳍状P型阱区外表面设置有分别与源极侧N型重掺杂区、N型漂移区相接触的“冂”字型栅氧化层，所述“冂”字型栅氧化层的外表面设置“冂”字型栅极；所述漏极侧“冂”字型N型重掺杂区外表面设置有“冂”字型漏极；所述鳍状N型漂移区外表面设置有高介电常数薄膜层、且位于栅极与漏极之间。


2.按权利要求1所述具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件，其特征在于，所述高介电常数薄膜层的介电常数值大于硅的介电常数值(11.9)。

【专利技术属性】
技术研发人员：程骏骥，林靖杰，陈为真，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51