半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面连接；第一连接结构，位于所述框架的所述第一表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；第一半导体芯片，在所述腔内位于所述第一连接结构上；包封剂，包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面；第二连接结构，包括第二重新分布层，所述第二重新分布层包括第一重新分布图案和第一连接过孔；以及第二半导体芯片，设置在所述第二连接结构上并且具有第二连接垫，所述第二连接垫连接到所述第二重新分布层。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年11月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0148324号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
近来，与半导体芯片有关的技术发展中的重要趋势是半导体芯片尺寸的减小。因此，在封装
中，根据对小型半导体芯片等的需求的快速增加，已经要求在包括多个引脚的同时实现具有紧凑的尺寸的半导体封装件。为满足上述技术需求而提出的一种封装件技术可以是扇出型半导体封装件。这样的扇出型半导体封装件具有紧凑的尺寸，并且可通过将连接端子重新分布到与半导体芯片重叠的区域之外的区域来实现多个引脚。可能需要背侧重新分布层(RDL)，以实现具有层叠封装(POP)结构的半导体封装件。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种具有可用于层叠封装(POP)结构的重新分布层的半导体封装件。根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括：框架，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面彼此连接，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n框架，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面连接，所述第一表面和所述第二表面彼此相对；/n第一连接结构，设置在所述框架的所述第一表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；/n第一半导体芯片，在所述腔内设置在所述第一连接结构上，并且具有第一连接垫，所述第一连接垫连接到所述第一重新分布层；/n第一包封剂，包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面；/n第二连接结构，包括第二重新分布层，所述第二重新分布层包括第一重新分布图案和第一连接过孔，所述第一重新分布图案嵌在所述第一包封剂中并且具有从所述第一包封剂暴露...

【技术特征摘要】
20181127 KR 10-2018-01483241.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
框架，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面连接，所述第一表面和所述第二表面彼此相对；
第一连接结构，设置在所述框架的所述第一表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；
第一半导体芯片，在所述腔内设置在所述第一连接结构上，并且具有第一连接垫，所述第一连接垫连接到所述第一重新分布层；
第一包封剂，包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面；
第二连接结构，包括第二重新分布层，所述第二重新分布层包括第一重新分布图案和第一连接过孔，所述第一重新分布图案嵌在所述第一包封剂中并且具有从所述第一包封剂暴露的一个表面，并且所述第一连接过孔贯穿所述第一包封剂并且使所述布线结构和所述第一重新分布图案彼此连接；以及
第二半导体芯片，设置在所述第二连接结构上并且具有第二连接垫，所述第二连接垫连接到所述第二重新分布层。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括钝化层，所述钝化层设置在所述第二连接结构上并且具有开口，所述开口使所述第二重新分布层的部分区域暴露，
其中，所述第二半导体芯片的所述第二连接垫通过所述开口连接到所述第二重新分布层的所述部分区域。


3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布层的所述部分区域包括多个垫，并且
所述第二半导体芯片设置在所述开口上，并且所述第二半导体芯片的所述第二连接垫分别连接到所述多个垫。


4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片设置在所述钝化层上，并且所述第二半导体芯片的所述第二连接垫通过布线连接到所述第二重新分布层的所述部分区域。


5.根据权利要求2所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括第二包封剂，所述第二包封剂设置在所述钝化层上并且包封所述第二半导体芯片。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一包封剂包括：包封绝缘层，包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面；以及结合绝缘层，设置在所述包封绝缘层上，并且使所述第一重新分布图案嵌在所述结合绝缘层中，使得所述第一重新分布图案的所述一个表面从所述结合绝缘层暴露。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一重新分布图案包括具有开口的焊盘，并且
所述第一连接过孔贯穿所述第一重新分布图案的所述开口。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接过孔连接到所述第一重新分布图案的一端并且贯穿所述第一包封剂。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接过孔在所述第一连接过孔的与所述第一重新分布图案接触的部分的宽度大于在所述第一连接过孔的与所述布线结构接触的部分的宽度。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一包封剂的上表面与所述第一重新分布图案的被暴露的所述一个表面基本共面。


11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二连接结构还包括绝缘层，所述绝缘层具有：第一表面，与所述第一重新分布图...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣官，许荣植，韩泰熙，金容勋，李润泰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR