【技术实现步骤摘要】
湿蚀刻设备及其使用的方法
本揭露是关于湿蚀刻设备及其使用的方法。
技术介绍
半导体制程包含各种步骤。举例而言，该制程包含层体形成的制程，其中在作为半导体基板的晶圆上形成多个层体，例如多晶层、氧化物层、氮化物层、金属层等。这些步骤大致还包含扩散制程、光刻微影制程、蚀刻制程、清洁制程、离子植入制程等，其在层体形成的多个步骤之间进行。蚀刻是从硅基板或基板表面上的薄膜上移除所选材料的制程。可以使用湿化学物质，通过湿蚀刻进行蚀刻。换句话说，在湿蚀刻制程中，基板通过暴露于液体蚀刻剂来蚀刻。液体蚀刻剂移除预定量的所选材料，从而在基板中形成图案。
技术实现思路
本揭露的部分实施方式提供一种方法，方法包含将液体蚀刻剂分配到晶圆上，其中晶圆在分配液体蚀刻剂期间不旋转；使用气流吹动该晶圆上的液体蚀刻剂，其中在分配该液体蚀刻剂期间气流的一方向保持实质恒定；以及在晶圆上的一目标结构被液体蚀刻剂蚀刻掉之后，关闭气流。本揭露的部分实施方式提供一种方法，包含于一基板上形成一半导体鳍片，其中该半导体鳍片沿一第一方向延伸的；形成一虚...
【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，包含：/n将一液体蚀刻剂分配到一晶圆上，其中该晶圆在分配该液体蚀刻剂期间不旋转；/n使用一气流吹动该晶圆上的该液体蚀刻剂，其中在分配该液体蚀刻剂期间，该气流的一方向保持实质恒定；以及/n在该晶圆上的一目标结构被该液体蚀刻剂蚀刻掉之后，关闭该气流。/n
【技术特征摘要】
20181126 US 62/771,492;20190815 US 16/542,1191.一种方法，其特征在于，包含：
将一液体蚀刻剂分配到一晶圆上，其中该晶圆在分配该液体蚀刻剂期间不旋转；
使用一气流吹动该晶圆上的该液体蚀刻剂，其中在分配该液体蚀刻剂期间，该气流的一方向保持实质恒定；以及
在该晶圆上的一目标结构被该液体蚀刻剂蚀刻掉之后，关闭该气流。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中吹动该液体蚀刻剂包含从一气体喷射器喷出该气流，其中该气体喷射器位于一第一位置，该第一位置不垂直重叠于该晶圆。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该气流的该方向实质垂直于该目标结构的一长轴。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该液体蚀刻剂经由一喷洒头上的多个分配孔而分配。
5.一种方法，其特征在于，包含：
于一基板上形成一半导体鳍片，其中该半导体鳍片沿一第一方向延伸；
形成一虚设栅极堆叠，其中该虚设栅极堆叠跨越于该半导体鳍片并沿一第二方向延伸；
在该虚设栅极堆叠的相对侧上，分别形成多个栅极间隔物；
在该虚设栅极堆叠上施加一第一液体蚀刻剂，并使用一气流于一第一方向上吹动该第一液体蚀刻剂，以在所述多个栅极间隔物之间形成一栅极沟槽；...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕鸿霆，廖汉文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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