分析方法技术

本发明专利技术实施例涉及一种分析方法。所述方法包含：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。

Analysis method

【技术实现步骤摘要】
分析方法
本专利技术实施例涉及分析方法。
技术介绍
随着电子技术发展，半导体装置大小正变得越来越小，同时具有更大功能性以及更大数量的集成电路。归因于半导体装置的微型化规模，许多半导体组件装配于半导体装置上。此外，大量制造操作实施于此类小型半导体装置内。在制造半导体装置之前，执行对制造设备的校准。出于制造稳定性及可重复性的目的，制造设备的组件必须经历调谐或调整。制造操作可反复地实施于半导体装置中的每一个上，且半导体组件可准确地装配于半导体装置上。然而，制造设备的校准取决于与制造设备的各组件的物理特性(即，尺寸、热膨胀系数、生命期、硬度等)相关联的数据的准确性。因而，制造设备的稳定性及半导体装置的制造可重复性可能会遭遇挑战。因此，不断地需要修改且改进对半导体装置及半导体装置的制造设备的制造。
技术实现思路
本专利技术的一实施例涉及一种方法，其包括：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。本专利技术的一实施例涉及一种方法，其包括：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的溅镀靶材；界定围绕所述预定中心的所述夹具的第一区域；测量所述夹具的所述第一区域内的多个第一深度；导出所述多个第一深度当中的最大第一深度；界定围绕所述夹具的所述最大第一深度的所述夹具的第二区域；测量所述夹具的所述第二区域内的多个第二深度；导出所述多个第二深度当中的最大第二深度；比较所述最大第一深度与所述最大第二深度；以及基于所述比较而执行操作。本专利技术的一实施例涉及一种方法，其包括：提供具有估计中心的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述估计中心处的测得第一磁通量密度；界定围绕所述估计中心的所述磁控管的区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而界定所述磁控管的中心。附图说明当结合随附图式阅读时，从以下具体实施方式最佳地理解本公开的方面。应强调，根据本行业中的标准惯例，各种装置未按比例绘制。实际上，为论述清楚起见，可任意地增大或减小各种装置的尺寸。图1是根据本公开的一些实施例的制造设备的示意性剖面图。图2是根据本公开的一些实施例的分析制造设备的方法的流程图。图3到4是根据本公开的一些实施例的通过图2的方法分析制造设备的示意性剖面图。图5是根据本公开的一些实施例的分析制造设备的方法的流程图。图6是根据本公开的一些实施例的通过图5的方法分析制造设备的示意性剖面图。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同装置的许多不同实施例或实例。以下描述组件及布置的特定实例以简化本公开。当然，这些组件及布置仅为实例且不希望是限制性的。举例来说，在以下描述中，第一装置形成于第二装置上方或上可包含第一装置与第二装置直接接触地形成的实施例，且还可包含额外装置可在第一装置与第二装置之间形成使得第一装置与第二装置可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复附图标记及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且自身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于描述，可使用例如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…上方”、“上部”等空间相对术语，以描述如诸图中所说明的一个元件或装置相对于另一元件或装置的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，空间相对术语还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。通过数个操作制造半导体结构。所述操作由制造设备执行。在执行所述操作之前执行制造设备的校准。基于与制造设备的各组件的物理特性(即，尺寸、热膨胀系数、生命期、硬度等)相关联的数据而执行校准。然而，对那些物理特性的测量可能不准确。那些数据可能具有一些偏离。举例来说，可能无法准确地导出溅镀中的磁控管及溅镀靶材的剖面，且因此可能无法反复且稳定地实施对半导体结构的溅镀。在本公开中，公开一种分析制造设备的方法。所述方法包含提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。可基于所述方法而准确地获得所述磁控管的用于溅镀中的中心的位置。在本公开中，公开另一种分析制造设备的方法。所述方法包含提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的溅镀靶材；界定围绕所述预定中心的所述夹具的第一区域；测量所述夹具的所述第一区域内的多个第一深度；导出所述多个第一深度当中的最大第一深度；界定围绕所述夹具的所述最大第一深度的所述夹具的第二区域；测量所述夹具的所述第二区域内的多个第二深度；导出所述多个第二深度当中的最大第二深度；比较所述最大第一深度与所述最大第二深度；以及基于所述比较而执行操作。可基于所述方法而准确地获得所述溅镀靶材的用于溅镀中的中心的位置。因此，可改进通过溅镀制造半导体结构的可重复性及稳定性。还可改进半导体结构的可靠性。图1是根据本公开的各种实施例的设备100的示意图。在一些实施例中，设备100包含磁控管101、溅镀靶材102、载物台103及衬底104。在一些实施例中，设备100经配置以执行溅镀操作。在一些实施例中，设备100经配置以执行物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)操作。在一些实施例中，设备100经配置以执行涂层102a在衬底104上方的沉积。在一些实施例中，设备100是溅镀机。在一些实施例中，磁控管101设置于溅镀靶材102上方。在一些实施例中，磁控管101安置于溅镀靶材102上。在一些实施例中，磁控管101极为接近溅镀靶材102而布置。在一些实施例中，磁控管101物理上与溅镀靶材102接触或与溅镀靶材102隔开。在一些实施例中，磁控管101经配置以提供磁场。在一些实施例中，磁控管101经配置以在溅镀靶材102周围提供磁场。在一些实施例中，磁控管101是永久磁体或可旋转磁体。在一些实施例中，磁控管101可围绕其中心旋转。在一些实施例中，磁控管101电连接到电压。在一些实施例中，磁控管101呈圆形、椭圆形、环形、螺旋形、不规则或任何其它适合形状。在一些实施例中，溅镀靶材102邻近于磁控管101而安置。在一些实施例中，在溅镀操作之后即刻消耗溅镀靶材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；/n使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；/n基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；/n使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；/n导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；/n比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及/n基于所述比较而执行操作。/n

【技术特征摘要】
20181127 US 62/771,835;20190603 US 16/430,1791.一种方法，其包括：
提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；
使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；
基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；
使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；
导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；
比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及
基于所述比较而执行操作。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述操作包含：
界定所述磁控管的具有最小第二磁通量密度的中心；
导出所述磁控管的所述中心的位置；
将探针移动到所述磁控管的所述中心的所述位置。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述测得第二磁通量密度等于或大体上小于所述预定阈值。


4.根据权利要求2所述的方法，其中所述磁控管的所述中心与所述夹具的所述预定中心竖直对准或从所述预定中心偏离。


5.一种方法，其包括：
提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的溅镀靶材；
界定围绕所述预定中心的所述夹具的第一区域；
测量所述夹具的所述第一区域内的多个第一深度；
导出所述多个第一深度当中的最大第一深度；
界定围绕所述夹具的所述最大第一深度的所述夹具的第二区域；
测量所述夹具的所述第二区域内的多个第二深度；
导出所述多个第二深度当中的最大第二深度；
比较所述最大第一深度与所述最大第二深度；以及
...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·G·乔杜里，李则辉，杨文成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71