【技术实现步骤摘要】
半导体工艺的反应副产物收集装置
本专利技术涉及一种半导体工艺的反应副产物收集装置,更为详细地，涉及一种收集装置，用于解决由于半导体制造工艺的变化使得在工艺反应腔(PROCESSCHAMBER)使用后排出的废气成分中的轻气体成分含量变多且收集反应副产物时低密度多孔反应副产物增加的问题,从而使得收集更多的高密度的反应副产物。
技术介绍
一般地，半导体制造工艺大致包括前工艺(Fabrication工艺，制造工艺)和后工艺(Assembly工艺，组装工艺)，所谓的前工艺，指的是在各种工艺反应腔内将薄膜蒸镀在晶片(Wafer)上，通过反复进行有选择地蚀刻已蒸镀的薄膜的过程来加工特定的图案，是指制造半导体芯片(Chip)的工艺，所谓的后工艺，是指将在所述前工艺制造的芯片逐个地分离后，和引线框架(leadframe)连接从而组装为成品的工艺。这时，就在所述晶片上蒸镀薄膜或对在晶片上蒸镀的薄膜进行蚀刻的工艺而言，通过气体注入系统向工艺反应腔内注入硅烷(Silane)、砷化氢(Arsine)、氯化硼、氢等的前驱物质和反应气体并在高温下...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其设置于工艺反应腔和真空泵之间的线上，用于收集从所述工艺反应腔排出的废气内的反应副产物，半导体工艺的反应副产物收集装置的特征在于，包括：/n壳体(110)，其将流入的废气收容后排出，在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；/n上板(120)，其覆盖壳体的上部，并形成有冷却水流路，冷却水流路用于维持对于O型圈保护及反应副产物收集来说的适当的温度；/n内部收集塔(130)，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板，以便增加流入的废气的流路和滞留时间，从而凝集并收集反应副产物；/n加热器(140)，其设置有热电导板，对流入...
【技术特征摘要】
20181127 KR 10-2018-01488561.一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其设置于工艺反应腔和真空泵之间的线上，用于收集从所述工艺反应腔排出的废气内的反应副产物，半导体工艺的反应副产物收集装置的特征在于，包括：
壳体(110)，其将流入的废气收容后排出，在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；
上板(120)，其覆盖壳体的上部，并形成有冷却水流路，冷却水流路用于维持对于O型圈保护及反应副产物收集来说的适当的温度；
内部收集塔(130)，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板，以便增加流入的废气的流路和滞留时间，从而凝集并收集反应副产物；
加热器(140)，其设置有热电导板，对流入壳体的废气进行加热并平均分配；
延长排出口(150)，其以延长至内部收集塔内部的形式设置，增加流入的废气的流路和滞留时间的同时使废气通过壳体下板的气体排出口排出。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，
在所述壳体的上板，在与设置于收集塔罩的罩板的上部区域相应的区域，形成有冷却水流路(122)，从而冷却壳体内部废气。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，
所述热电导板与在壳体内向一侧偏心的加热器以向远的另一侧壳体空间部方向的侧方向延长的形式设置，对内部收集塔的上部方向的废气进行加热。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，所述内部收集塔(130)包括：
收集塔罩(131)，其构成外形；
罩板(132)，其沿着收集塔罩的各个侧面边缘隔开一定间隔设置有多个并收集反应副产物；
倾斜涡流板(133)，其和罩板交叉地沿横向设置并产生涡流。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，所述内部收集塔(130)包括：
下部水平支撑板(134)，其在壳体的下板以隔开一定间隔的形式设置并连接位于上部的收集塔罩(131)，形成有多...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，孙平憙，金睿真，金智洙，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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