半导体工艺的反应副产物收集装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其包括：内部收集塔，其设置有覆盖延长排出口的收集塔罩和罩板；延长排出口，其具有向内部收集塔的内部上部方向延长的长度，还包括：壳体，其将流入的废气收容后排出并在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；上板，其覆盖壳体的上部的同时形成有防止壳体过热的冷却水流路；内部收集塔，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板；加热器，其设置有热电导板，对流入壳体的废气进行加热并平均分配；延长排出口，其以延长至内部收集塔内部的形式设置，增加流入的废气的流路和滞留时间的同时使废气通过壳体下板的气体排出口排出。

Collection device of reaction by-products in semiconductor process

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺的反应副产物收集装置
本专利技术涉及一种半导体工艺的反应副产物收集装置,更为详细地，涉及一种收集装置，用于解决由于半导体制造工艺的变化使得在工艺反应腔(PROCESSCHAMBER)使用后排出的废气成分中的轻气体成分含量变多且收集反应副产物时低密度多孔反应副产物增加的问题,从而使得收集更多的高密度的反应副产物。
技术介绍
一般地，半导体制造工艺大致包括前工艺(Fabrication工艺，制造工艺)和后工艺(Assembly工艺，组装工艺)，所谓的前工艺，指的是在各种工艺反应腔内将薄膜蒸镀在晶片(Wafer)上，通过反复进行有选择地蚀刻已蒸镀的薄膜的过程来加工特定的图案，是指制造半导体芯片(Chip)的工艺，所谓的后工艺，是指将在所述前工艺制造的芯片逐个地分离后，和引线框架(leadframe)连接从而组装为成品的工艺。这时，就在所述晶片上蒸镀薄膜或对在晶片上蒸镀的薄膜进行蚀刻的工艺而言，通过气体注入系统向工艺反应腔内注入硅烷(Silane)、砷化氢(Arsine)、氯化硼、氢等的前驱物质和反应气体并在高温下进行，在所述工艺进行期间，在工艺反应腔内部产生大量各种易燃性气体和腐蚀性杂质及含有有毒成分的有害气体等。为了净化并排出这样的有害气体，在半导体制造设备中，在将工艺反应腔制作为真空状态的真空泵的后端，设置有将从所述工艺反应腔排出的废气净化后向大气排出的洗涤器(scrubber)。但是，这样的洗涤器由于只净化处理气体形态的反应副产物，如果反应副产物向工艺反应腔的外部排出后固化，则存在根据固着于排气线的排气压力上升、流入真空泵并引发泵的故障、有害气体逆流进工艺反应腔从而使得晶片被污染等的又其他的问题。因此，半导体制造设备中，在工艺反应腔和真空泵之间设置有将从所述工艺反应腔排出的废气凝聚为粉末状态的反应副产物收集装置。如图11所示，这样的反应副产物收集装置设置为，工艺反应腔51和真空泵53通过泵送线(pumpingline)55连接，在所述泵送线55，用于将产生于所述工艺反应腔51的反应副产物以凝聚的粉末形态收集的疏水管(trappipe)57从所述泵送线55分岔出来。但是，具有所述结构的现有的反应副产物收集装置存在结构上的缺点，即，薄膜的蒸镀或蚀刻时，在工艺反应腔51内部产生的未反应气体，向和工艺反应腔51相比具有相对较低的温度氛围的泵送线55侧流入的同时固化为粉末59后，在从所述泵送线55分岔而设置的疏水管57堆积。本申请人开发了用于解决如上所述的现有技术的问题的方案，即“半导体制造工艺中产生的副产物的收集装置”，并在韩国登记专利公报第10-1806480号中公开。但是，就所述本申请人的专利技术而言，虽然存在和现有技术一样的在注入反应气体的半导体制造工艺中能够高效收集反应副产物的优点，但是由于最近制造厂家的制造工艺的变化发生如下问题，即，使得从工艺反应腔排出的废气中轻气体的含量变高，并且，以现有的副产物收集装置的结构，在内部收集塔无法提供能够固化为高密度的反应副产物的充分的温度、流速、压力、流路径路、滞留时间等条件，从而收集的粉末的形态更多的为低密度的多孔性粉末形态，因而收集装置的收集空间利用率降低，整体的收集效率变低。此外，现有的副产物收集装置在结构上具有如下结构问题，流入的气体以高密度引起固化反应前，按低密度凝聚的多孔性反应副产物以所述状态直接向下部的排出口流出的同时，会造成真空泵损伤。先行技术文献专利文献(专利文献0001)韩国登记专利公报登记号10-0717837(2007.05.07.)(专利文献0002)韩国登记专利公报登记号10-0862684(2008.10.02.)(专利文献0003)韩国登记专利公报登记号10-1447629(2014.09.29.)(专利文献0004)韩国登记专利公报登记号10-1806480(2017.12.01.)
技术实现思路
用于解决如上所述问题的本专利技术的目的在于，提供一种半导体工艺的反应副产物收集装置，包括：内部收集塔，其设置有覆盖延长排出口的收集塔罩和罩板；延长排出口，其设置有向内部收集塔的内部上部方向延长的长度，根据半导体制造工艺变化相对较轻的气体成分增加了的废气，沿着长流路具有充分的滞留时间的同时凝聚，从而可以以高密度的反应副产物形态得到收集。本专利技术的另一目的在于，提供一种半导体工艺的反应副产物收集装置，在形成于收集塔罩边缘的罩板倾斜地设置有涡流板，使产生涡流，从而废气成分中相对较重的气体的移动在内部收集塔上部迟滞很久，通过在上板和罩板凝集，从而可以以高密度的反应副产物形态得到收集。此外，本专利技术的另一目的在于，提供一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其设置有热电导板，热电导板向在壳体内部空间向一侧倾斜设置的加热器的另一侧方向延长，从而使得温度区域平均分布至内部收集塔，从而流入的废气以高密度的反应副产物形态得到收集。进行用于达成如上所述的目的和去除现有的缺点的课题的本专利技术，通过提供一种半导体工艺的反应副产物收集装置而实现，半导体工艺的反应副产物收集装置设置在工艺反应腔和真空泵之间的线上，用于收集从所述工艺反应腔排出的废气中的反应副产物，其特征在于，包括：壳体，其将流入的废气收容后排出，在内壁设置有产生涡流的水平涡流板；上板，其覆盖壳体的上部，并且设置有冷却水流路，冷却水流路用于维持对于O型圈保护及反应副产物收集来说的适当的温度；内部收集塔，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板，以便增加流入的废气的流路和滞留时间，从而凝集并收集反应副产物；加热器，其设置有热电导板，从而对流入壳体的废气进行加热并平均分配；延长排出口，其以延长至内部收集塔内部的形式设置，增加流入的废气的流路和滞留时间的同时使废气通过壳体下板的气体排出口排出。作为优选的实施例，在所述壳体的上板，在与设置于收集塔罩的罩板的上部区域相应的区域，形成有冷却水流路，从而冷却壳体内部废气。作为优选的实施例，所述热电导板和在壳体内向一侧偏心的加热器以向远的另一侧壳体空间部方向的侧方向延长的形式设置，对内部收集塔的上部方向的废气进行加热。作为优选的实施例，所述内部收集塔包括：收集塔罩，其构成外形；罩板，其沿着收集塔罩的各个侧面边缘隔开一定间隔设置有多个并收集反应副产物；倾斜涡流板，其和罩板交叉地沿横向设置，从而产生涡流。作为优选的实施例，所述内部收集塔包括：下部水平支撑板，其在壳体的下板以隔开一定间隔的形式设置并连接位于上部的收集塔罩，形成有多个贯通孔，以便防止低密度多孔反应副产物的流出的同时使废气流入收集塔罩内部，并在一处插入有延长排出口；形成有多个贯通孔的竖直板和形成有多个贯通孔的水平板，其以格子形设置于下部水平支撑板的上部收集塔罩内部，防止通过延长排出口排出的废气中低密度多孔反应副产物的流出。作为优选的实施例，所述收集塔罩形成为下部开放的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其设置于工艺反应腔和真空泵之间的线上，用于收集从所述工艺反应腔排出的废气内的反应副产物，半导体工艺的反应副产物收集装置的特征在于，包括：/n壳体(110)，其将流入的废气收容后排出，在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；/n上板(120)，其覆盖壳体的上部，并形成有冷却水流路，冷却水流路用于维持对于O型圈保护及反应副产物收集来说的适当的温度；/n内部收集塔(130)，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板，以便增加流入的废气的流路和滞留时间，从而凝集并收集反应副产物；/n加热器(140)，其设置有热电导板，对流入壳体的废气进行加热并平均分配；/n延长排出口(150)，其以延长至内部收集塔内部的形式设置，增加流入的废气的流路和滞留时间的同时使废气通过壳体下板的气体排出口排出。/n

【技术特征摘要】
20181127 KR 10-2018-01488561.一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其设置于工艺反应腔和真空泵之间的线上，用于收集从所述工艺反应腔排出的废气内的反应副产物，半导体工艺的反应副产物收集装置的特征在于，包括：
壳体(110)，其将流入的废气收容后排出，在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；
上板(120)，其覆盖壳体的上部，并形成有冷却水流路，冷却水流路用于维持对于O型圈保护及反应副产物收集来说的适当的温度；
内部收集塔(130)，其在壳体内部以向上部隔开一定间隔的形式设置，设置有收集塔罩和罩板，以便增加流入的废气的流路和滞留时间，从而凝集并收集反应副产物；
加热器(140)，其设置有热电导板，对流入壳体的废气进行加热并平均分配；
延长排出口(150)，其以延长至内部收集塔内部的形式设置，增加流入的废气的流路和滞留时间的同时使废气通过壳体下板的气体排出口排出。


2.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，
在所述壳体的上板，在与设置于收集塔罩的罩板的上部区域相应的区域，形成有冷却水流路(122)，从而冷却壳体内部废气。


3.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，
所述热电导板与在壳体内向一侧偏心的加热器以向远的另一侧壳体空间部方向的侧方向延长的形式设置，对内部收集塔的上部方向的废气进行加热。


4.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，所述内部收集塔(130)包括：
收集塔罩(131)，其构成外形；
罩板(132)，其沿着收集塔罩的各个侧面边缘隔开一定间隔设置有多个并收集反应副产物；
倾斜涡流板(133)，其和罩板交叉地沿横向设置并产生涡流。


5.根据权利要求1所述的半导体工艺的反应副产物收集装置，其特征在于，所述内部收集塔(130)包括：
下部水平支撑板(134)，其在壳体的下板以隔开一定间隔的形式设置并连接位于上部的收集塔罩(131)，形成有多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，孙平憙，金睿真，金智洙，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR