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本发明涉及一种半导体工艺的反应副产物收集装置，其包括：内部收集塔，其设置有覆盖延长排出口的收集塔罩和罩板；延长排出口，其具有向内部收集塔的内部上部方向延长的长度，还包括：壳体，其将流入的废气收容后排出并在内壁形成有产生涡流的水平涡流板；上板...
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