【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，尤其涉及一种为了可以在有限的捕获空间内以更高的效率对因为各种半导体制作工程的变化而从制程腔体排出的排出气体成分中所包含的反应副产物进行捕获并借此提升使用周期，在内侧空间配备形成有可以对所捕获的反应物产物进行收容的结构以及排出气体诱导流的内部捕获塔的捕获装置。
技术介绍
1、通常来讲，半导体制造工程大体上包括前工程(制造(fabrication)工程)以及后工程(装配(assembly)工程)。前工程是指通过在各种制程腔体(chamber)内重复执行在晶圆(wafer)上沉积形成薄膜之后对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案并借此制造出半导体芯片(chip)的工程，而后工程是指通过将在所述前工程中制造出的芯片单独分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的工程。
2、此时，在所述晶圆上沉积形成薄膜或对在晶圆上沉积形成的薄膜进行蚀刻的工程是通过气体注入系统向制程腔体的内部注入如硅烷(silane)、砷化氢(arsine)、氯化硼以及氢气等的前驱体以及反应气体之后在高温条件下执行。而在执行所述工程的期间内，在制程腔体的内部将生成大量的含有各种易燃气体、腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等。
3、为了可以在对如上所述的有害气体进行净化之后排出，在用于将半导体制造用制程腔体转换成真空状态的真空泵的后端配备有用于在对从所述制程腔体排出的排出气体进行净化之后再排出到大气中的洗涤器(scrubber)。
4、但是，因为洗涤器主要是
5、因此，大部分半导体制造装置都会在制程腔体与真空泵之间安装对排出气体进行凝聚而以粉末或固形物状态进行捕获的反应副产物捕获装置。
6、此外，根据捕获容量，通常来讲小容量的反应副产物捕获装置会配置在安装有制程腔体的洁净室中，而大容量的反应副产物捕获装置会安装在安装有泵的下一层或在洁净室所处的上一层与泵所处的下一层之间配备单独的层并安装捕获装置。
7、之所以按照如上所述的方式区分安装，是因为其大小会根据捕获装置的容量呈现出较大的差异，从而因为实际工厂内的安装空间而区分安装，此外对于所生成的排出气体相对较少的半导体生产设备来讲，因为洁净室的大小或维护管理过程中的工程中断或污染问题，将安装容量较小的如可以对大约10～20kg左右的反应副产物进行捕获的捕获装置。
8、因此，对于容量较小的捕获装置来讲，需要配备可以防止所流入的排出气体在流入口中发生凝聚的加热器结构、可以使得在加热器中得到加热并流入到内部的排出气体尽可能长时间地停留在内部捕获塔并高效地对反应副产物进行捕获、以及可以在最大限度地减少所捕获的反应副产物通过排出口外流(outflow)的同时仅将已去除反应副产物的气体状态的排出气体通过排出口排出的结构。
9、因为现有的捕获装置中捕获容量相对较小的捕获装置的物理大小较小，因此为了最大限度地提升捕获效率，通常来讲采用通过将构成内部捕获塔的多个矩形面状捕获板多重交叉而构成栅格形结构体，并形成排出气体通过在各个捕获板的表面形成的小孔结构或相邻的捕获板之间的空间流动的复杂流路，从而提升在内部停留的时间并借此使得排出气体在捕获板的表面凝聚的结构。
10、但是，如上所述的配备有包括由密集的矩形面状捕获板交叉构成的栅格结构以及由在面状捕获板上形成的气孔构成的复杂流路结构的内部捕获塔的捕获装置，反而会因为如上所述目的的内部捕获塔结构而导致无法有效地利用捕获装置的有效捕获空间的问题，而且因为伴随着排出气体的主流动，所发生的捕获反应将主要集中在外侧捕获板或内侧捕获板部分并因此造成排出气体的流动发生停滞以及无法流畅地供应排出气体的问题，从而因为无法有效地利用剩余的有效捕获空间或捕获板而导致捕获效率下降的结构性问题。
11、先行技术文献
12、专利文献
13、(专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第10-1806480号(2017.12.01.)
14、(专利文献2)韩国注册专利公报注册编号第10-0717837号(2007.05.07.)
15、(专利文献3)韩国注册专利公报注册编号第10-0862684号(2008.10.02.)
16、(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第10-1447629号(2014.09.29.)
技术实现思路
1、技术问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于提供一种通过在利用加热器对流入到捕获装置内部的排出气体进行加热之后通过周边部向下部诱导而提供利用由上段捕获部、中段捕获部以及下段捕获部构成的内部捕获塔对排出气体的流动进行诱导的多段捕获功能，从而可以使得反应副产物主要被堆积在外壳内壁以及内侧区域形成开放的气流结构的中段捕获部的内侧空间并借此提升捕获空间的效率的反应副产物捕获装置。
3、本专利技术的另一目的在于提供一种通过在构成内部捕获塔的各个上段捕获部、中段捕获部以及下段捕获部中分别配备面积不同且气孔的大小、形状以及配置不同的矩形水平捕获板而对排出气体的上下流动进行约束和诱导并使得所捕获的反应副产物发生堆积，从而最大限度地减少上部的排出气体直接通过下部排出口排出或所捕获到的反应副产物堆积在下部而轻易地发生外流(outflow)的现象并借此提升捕获空间效率的反应副产物捕获装置。
4、解决问题的手段
5、为了达成如上所述的目的并解决现有的问题，本专利技术提供一种捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：作为通过安装在制程腔体与真空泵之间的排气管路上而将从所述制程腔体排出的排出气体流入到外壳内部并在利用加热器进行加热的同时进行分配，从而在内部捕获塔中对反应副产物进行捕获的半导体工程的反应副产物捕获装置，包括：
6、内部捕获塔，由上段捕获部、中段捕获部以及下段捕获部多段构成，从而通过最大限度地利用有限的外壳内部空间而在变更所流入的排出气体的流路方向的同时对反应副产物进行捕获，其中捕获主要是在包括为了确保外壳的内壁与内侧区域之间的气体流畅流动而以开放的结构形成的外廓的外廓垂直刀板、高度小于所述外廓垂直板的内侧垂直刀板以及底面板的中段捕获部中进行捕获之后堆积在其内侧空间。
7、作为较佳的实施例，所述上段捕获部，包括：第一水平捕获板，矩形形态，形成有主气孔及其周边的多个辅助气孔，在将从加热器下降的排出气体的流动向中心部诱导的同时对反应副产物进行捕获；
8、三角捕获板，通过沿着第一水平捕获板的上侧面外廓以放射状排列多个而对反应副产物进行捕获；
9、折曲形捕获板，在第一水平捕获板的上侧面的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
7.根据权利要求5所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
8.根据权利要求5所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获
11.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的捕获空间效率得到提升的半导体工程...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，李妍周，韩智银，元愚渊，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。