半导体器件及其形成方法技术

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽；以及使用原子层沉积(ALD)循环来沉积电介质层。电介质层延伸到沟槽中。ALD循环包括：脉冲六氯乙硅烷(HCD)到半导体衬底；清除HCD；脉冲三乙胺到半导体衬底；以及清除三乙胺。然后对电介质层执行退火工艺。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本公开涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路不断缩小以及对集成电路速度的要求越来越高，晶体管需要在尺寸越来越小的情况下具有更高的驱动电流。由此开发出鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括位于衬底上方的垂直半导体鳍。半导体鳍被用来形成源极区域和漏极区域，并且在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。形成浅沟槽隔离(STI)区域以限定半导体鳍。FinFET还包括栅极堆叠，其被形成在半导体鳍的侧壁和顶表面上。在STI区域的形成和FinFET的形成中，首先形成STI区域，例如，使用可流动的氧化物，然后使用紫外线(UV)固化或含氧环境中的热氧化进行后处理。然后对相应晶圆进行退火。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽；使用原子层沉积(ALD)循环来沉积电介质层，其中，所述电介质层延伸到所述沟槽中，并且其中，所述ALD循环包括：脉冲六氯乙硅烷(HCD)到所述半导体衬底；清除所述HCD；脉冲三乙胺到所述半导体衬底；以及清除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n蚀刻半导体衬底以形成沟槽；/n使用原子层沉积(ALD)循环来沉积电介质层，其中，所述电介质层延伸到所述沟槽中，并且其中，所述ALD循环包括：/n脉冲六氯乙硅烷(HCD)到所述半导体衬底；/n清除所述HCD；/n脉冲三乙胺到所述半导体衬底；以及/n清除所述三乙胺；以及/n对所述电介质层执行退火工艺。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,424;20190801 US 16/529,0981.一种形成半导体器件的方法，包括：
蚀刻半导体衬底以形成沟槽；
使用原子层沉积(ALD)循环来沉积电介质层，其中，所述电介质层延伸到所述沟槽中，并且其中，所述ALD循环包括：
脉冲六氯乙硅烷(HCD)到所述半导体衬底；
清除所述HCD；
脉冲三乙胺到所述半导体衬底；以及
清除所述三乙胺；以及
对所述电介质层执行退火工艺。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述ALD循环还包括：
在所述三乙胺被清除之后，脉冲氧(O2)到所述半导体衬底；以及
清除所述氧。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括：重复包括脉冲氧的所述ALD循环。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：重复所述ALD循环。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火工艺包括：
低温湿法退火工艺，所述低温湿法退火工艺在第一温度下执行；
高温湿法退火工艺，所述高温湿法退火工艺在高于所述第一温度的第二温度下执行；以及
干法退火工艺，所述干法退火工艺在高于所述第一温度的第三温度下执行。


6....

【专利技术属性】
技术研发人员：高琬贻，柯忠祁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71