隔离结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及集成电路领域，提供了一种隔离结构的制作方法，在叠加形成有第一掩模层和第二掩模层的半导体衬底中刻蚀形成隔离沟槽，接着进行选择性刻蚀使第一掩模层中位于隔离沟槽上方的开口扩大并构成注入窗口，述注入窗口中暴露有半导体衬底与隔离沟槽的侧壁相邻接的部分上表面，去除第二掩模层后，填充牺牲层于隔离沟槽和注入窗口中，执行离子注入，从而在半导体衬底顶部与隔离沟槽邻接的区域形成了离子注入区，最后去除牺牲层并在隔离沟槽中填充隔离介质以形成隔离结构。由于离子注入区增加了所在区域的离子浓度，从而可有效改善半导体工艺中由于离子注入剂量在靠近隔离结构处会受到损失、导致半导体器件性能不稳定甚至失效的问题。

Manufacturing method of isolation structure

【技术实现步骤摘要】
隔离结构的制作方法
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种隔离结构的制作方法。
技术介绍
现有集成电路制造工艺中，半导体器件(或有源器件)诸如MOS晶体管、存储器等通常基于半导体衬底(例如硅晶圆)进行制作。为了对半导体衬底上独立的器件以及不同的功能区进行隔离，在制作半导体器件之前，即会在半导体衬底中预先设置隔离区及隔离结构，利用隔离区对用于制作半导体器件的有源区范围进行限定。伴随着半导体工艺进入深亚微米时代，半导体器件的隔离结构常通常采用浅沟槽隔离工艺(ShallowTrenchIsolation，STI)来制作。现有MOS晶体管的制造过程中，往往需要对浅沟槽隔离结构进行退火处理，并在有源区执行离子注入工艺。但是，研究发现，靠近浅沟槽隔离结构的角部处的注入离子会由于隔离效应、退火效应等导致注入剂量损失，这种注入剂量损失会使得半导体器件的阈值电压不一致，影响半导体器件性能的稳定，严重情况下甚至会造成半导体器件失效。
技术实现思路
本专利技术提供一种隔离结构的制作方法，目的是在半导体衬底顶部靠近隔离区的位置形成离子注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底中布置有隔离区，并且在所述半导体衬底的上表面上形成有沿着远离所述半导体衬底上表面的方向依次叠加的第一掩模层和第二掩模层；/n刻蚀所述第二掩模层、所述第一掩模层以及所述半导体衬底，以对应于所述隔离区在所述半导体衬底中形成隔离沟槽；/n进行选择性刻蚀以侧向去除部分所述第一掩模层，使所述第一掩模层中位于所述隔离沟槽上方的开口扩大并构成注入窗口，所述注入窗口的开口尺寸大于所述隔离沟槽的开口尺寸，所述注入窗口中暴露有所述半导体衬底与所述隔离沟槽的侧壁相邻接的部分上表面；/n去除所述第二掩模层；/n在所述隔离沟槽和所述注入窗口...

【技术特征摘要】
1.一种隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中布置有隔离区，并且在所述半导体衬底的上表面上形成有沿着远离所述半导体衬底上表面的方向依次叠加的第一掩模层和第二掩模层；
刻蚀所述第二掩模层、所述第一掩模层以及所述半导体衬底，以对应于所述隔离区在所述半导体衬底中形成隔离沟槽；
进行选择性刻蚀以侧向去除部分所述第一掩模层，使所述第一掩模层中位于所述隔离沟槽上方的开口扩大并构成注入窗口，所述注入窗口的开口尺寸大于所述隔离沟槽的开口尺寸，所述注入窗口中暴露有所述半导体衬底与所述隔离沟槽的侧壁相邻接的部分上表面；
去除所述第二掩模层；
在所述隔离沟槽和所述注入窗口中填充牺牲层，所述牺牲层的上表面不高于所述第一掩模层的上表面；
执行离子注入，以在所述半导体衬底顶部对应于所述部分上表面形成离子注入区；以及
去除所述牺牲层并在所述隔离沟槽中填充隔离介质以形成隔离结构。


2.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其特征在于，在所述隔离沟槽中填充隔离介质以形成隔离结构的步骤包括：
在所述隔离沟槽和所述注入窗口中均填满隔离介质，所述隔离介质还覆盖所述第一掩模层的上表面；以及
去除位于所述半导体衬底上方的隔离介质以及第一掩模层...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34