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本发明涉及集成电路领域，提供了一种隔离结构的制作方法，在叠加形成有第一掩模层和第二掩模层的半导体衬底中刻蚀形成隔离沟槽，接着进行选择性刻蚀使第一掩模层中位于隔离沟槽上方的开口扩大并构成注入窗口，述注入窗口中暴露有半导体衬底与隔离沟槽的侧壁相...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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