【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
在半导体工艺中，各个半导体器件之间通常是利用沟槽隔离结构(例如浅沟槽隔离结构)进行隔离的。以及，在半导体器件的制备过程中，一般是优先形成沟槽隔离结构，以利用所形成的沟槽隔离结构界定出多个单元区，在后续步骤中即在各个单元区中形成半导体器件。目前，在制备沟槽隔离结构时，通常是在衬底的表面上形成掩膜叠层，以利用掩膜叠层界定出沟槽隔离结构的位置和图形形貌，并在完成沟槽隔离结构的制备过程之后，即可进一步去除所述掩膜叠层，以暴露出衬底的表面。在现有工艺中，通常是利用同一道湿法刻蚀步骤去除所述掩膜叠层。图1为现有技术中在去除掩膜叠层之后的结构示意图，如图1所示，基于现有的掩膜叠层的刻蚀方法，在去除所述掩膜叠层时，常常存在膜层材料无法完全去除的问题。尤其是，针对沟槽隔离结构20凸出于衬底10的顶表面时，在沟槽隔离结构20的侧壁和衬底10的顶表面的拐角处，容易产生膜层材料残留的问题，具体可参考图1的虚线框所标示的类似于鸟嘴形貌。<...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，并在所述衬底中形成有至少一沟槽隔离结构，以及在所述沟槽隔离结构外围的衬底表面上形成有掩膜叠层；/n去除所述掩膜叠层中的膜层至底层薄膜层，以暴露出所述底层薄膜层；以及，/n执行干法刻蚀工艺，以去除所述底层薄膜层。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，并在所述衬底中形成有至少一沟槽隔离结构，以及在所述沟槽隔离结构外围的衬底表面上形成有掩膜叠层；
去除所述掩膜叠层中的膜层至底层薄膜层，以暴露出所述底层薄膜层；以及，
执行干法刻蚀工艺，以去除所述底层薄膜层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜叠层中的膜层至底层薄膜层的方法包括：
利用湿法刻蚀工艺去除所述掩膜叠层中的至少部分膜层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜叠层包括形成在所述衬底上的所述底层薄膜层和形成在所述底层薄膜层上的硬质掩膜层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬质掩膜层的材质包括氮化硅和/或多晶硅。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在暴露出所述底层薄膜层之后，以及执行干法刻蚀工艺之前，还包括：在所述衬底上形成一遮蔽层，所述遮蔽层覆盖所述沟槽隔离结构，并暴露出所述底层薄膜层；
技术研发人员：朱红波，张燚，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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