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本发明提供了一种半导体结构的形成方法。在去除掩膜叠层时，依次去除掩膜叠层中的上层膜层以暴露出底层薄膜层，并利用干法刻蚀工艺刻蚀底层薄膜层，以提高对底层薄膜层的刻蚀均匀性，改善膜层材料的残留现象。同时，基于干法刻蚀工艺的各向异性刻蚀的特性，还...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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